神工股份评级()电极材料国产替代穿越周期,轻掺硅片厚积薄发加速成长
股票代码 :688233
股票简称 :神工股份
报告名称 :电极材料国产替代穿越周期,轻掺硅片厚积薄发加速成长
评级 :买入
行业:半导体
证 | 买入(首次) | 神工股份(688233) | |||||||||||
电极材料国产替代穿越周期,轻掺硅片 | |||||||||||||
券 | 厚积薄发加速成长 | ||||||||||||
研 | |||||||||||||
究 | |||||||||||||
报 | ◼报告起因 报告主要针对公司的三大主营业务方向,分别分析了各个业务之间在 | ||||||||||||
告 | |||||||||||||
公 | 行业: 电子 | 产业链上的关系、不同产品的商业模式、公司所处的地位、自身的特 | |||||||||||
点优势以及未来发展的可能性,报告主旨是为了消除市场对于公司在 | |||||||||||||
大直径单晶硅材料上受到周期性影响的担忧,强调硅电极产品在国内 | |||||||||||||
日期: | 2022 年 3 月 11 日 | ||||||||||||
晶圆厂中国产替代的重要性,以及重申轻掺杂低缺陷大硅片在公司未 | |||||||||||||
来发展中的重要战略意义。 | |||||||||||||
分析师: | 陈宇哲 | ||||||||||||
◼核心观点 产能居首技术领先,大直径硅料成长性大于周期性。神工是全球大直 | |||||||||||||
Tel: | 021-53686143 | ||||||||||||
径单晶硅材料的龙头,全球份额约 15%左右。过去的成长依靠的是下 游硅电极的需求增长,具有一定的周期性。由于公司核心团队具备优 | |||||||||||||
E-mail: | chenyuzhe@shzq.com | ||||||||||||
秀的硅片材料基因,过去几年在上游材料的技术、品质、产能都有非 | |||||||||||||
SAC 编号: | S0870521100002 | ||||||||||||
常显著的进步和提升。受益于客户对上游材料的高要求和高依赖,叠 | |||||||||||||
联系人: | 李挺 | ||||||||||||
加产业分工与转移趋势加速,公司近几年份额提升明显。随着硅电极 | |||||||||||||
大径化加速,下游将更多重心放在了价值量更高的后道加工上,材料 | |||||||||||||
Tel: | 021-53686154 | ||||||||||||
供应商将进入快速增长期。未来的份额提升加上大径产品结构优化有 | |||||||||||||
E-mail: | liting@shzq.com | ||||||||||||
望推动材料业务维持较长时间的高速增长,成长性显著大于周期性。 | |||||||||||||
SAC 编号: | S0870121070008 | 国内晶圆厂加速扩张,国产刻蚀机助力硅电极实现进口替代。硅电极 | |||||||||||
加工工艺难,附加价值高。公司在维持原有材料业务的基础上,快速 | |||||||||||||
突破后道加工工艺,顺利进军下游硅电极,在国内市场打开了成长空 | |||||||||||||
基本数据 | |||||||||||||
间。国内晶圆厂与刻蚀设备原厂的快速扩张为本土电极供应商创造了 | |||||||||||||
绝佳的替代机会,公司作为目前头部电极供应商,面对中国大陆增量 | |||||||||||||
最新收盘价(元) | 84.66 | ||||||||||||
市场空间,有望凭借一体化优势和区位优势迅速抢占市场份额,树立 | |||||||||||||
12mth A 股价格区间(元) | 103.08-34.30 | 并巩固自身在国内硅电极市场的领先地位,改变全球硅电极市场格 | |||||||||||
总股本(百万股) | 160.00 | 局。 | |||||||||||
司 | |||||||||||||
供需错配推动半导体硅片量价齐升,轻掺杂低缺陷大硅片厚积薄发。 | |||||||||||||
深 | 无限售 A 股/总股本 | 52.10% | |||||||||||
国产硅片厂商在重掺硅片领域成熟度较高,轻掺硅片发展较为滞后。 | |||||||||||||
度 | 流通市值(亿元) | 70.57 | 神工股份核心团队拥有 20 年以上的轻掺低缺陷硅片生产经验,凭借大 直径单晶硅材料业务也积累了丰富的轻掺晶体生长的生产经验,为转 向轻掺硅片生产打下了坚实的基础。公司募投 8 英寸轻掺低缺陷抛光 片项目进展顺利,产品已进入客户认证流程。行业供需错配推动硅片 | ||||||||||
最近一年股票与沪深 300 比较 | |||||||||||||
量价齐升,公司的战略布局有望助其成为国产轻掺杂低缺陷硅片的优 | |||||||||||||
190% | 神工股份 | 沪深300 | 质供应商。 | ||||||||||
◼盈利预测 首次覆盖给予“买入”评级。我们预计公司 2021-2023 年净利润分别 为 2.20、3.08 和 4.04 亿元,对应 EPS 分别为 1.38、1.92 和 2.53 元。当前股价对应 2021-2023 年 PE 值分别为 60.94、43.62 和 33.23 倍。我们看好公司传统单晶硅材料因大径化而持续提升份额,基于材料端 | |||||||||||||
164% | |||||||||||||
138% | |||||||||||||
113% | |||||||||||||
87% | |||||||||||||
的技术优势和下游国产化快速布局硅电极带来增量贡献,通过技术储 | |||||||||||||
62% | 备突破下游验证后加快硅片的国产替代,从而在营收和利润端实现更 | ||||||||||||
36% | 快和更高幅度的增长。 | ||||||||||||
11% | ◼风险提示 公司业绩、半导体行业、产品出口、募投项目推进低于预期。 | ||||||||||||
-15% 03/21 | 05/21 | 08/21 | 10/21 | 12/21 | 03/22 | ||||||||
◼数据预测与估值 | |||||||||||||
单位:百万元 | 2020A | 2021E | 2022E | 2023E | |||||||||
营业收入 | 192 | 475 | 670 | 922 | |||||||||
年增长率 | 1.9% | 147.1% | 41.1% | 37.7% | |||||||||
归母净利润 | 100 | 220 | 308 | 404 | |||||||||
年增长率 | 30.3% | 119.9% | 39.7% | 31.3% | |||||||||
每股收益(元) | 0.65 | 1.38 | 1.92 | 2.53 | |||||||||
市盈率(X) | 67.26 | 59.71 | 42.75 | 32.56 | |||||||||
市净率(X) | 5.77 | 9.19 | 7.56 | 6.14 |
资料来源:Wind,上海证券研究所(2022 年 03 月 10 日收盘价)
公司深度
目录
1 产能居首技术领先,大直径硅料成长性大于周期性 ................... 4
1.1 大直径单晶硅材料全球龙头,充分受益产业分工与转移加 速 ............................................................................................ 4 1.2 材料工艺自主可控,技术实力强成本优势大 .................... 6 1.3 大径化趋势推动份额持续提升,助力公司穿越周期 ....... 10 2 国内晶圆厂加速扩张,国产刻蚀机助力硅电极实现进口替代 ... 12 2.1 硅电极加工工艺难,单体价值量高,发展空间更大 ....... 12 2.2 晶圆厂与刻蚀设备厂为硅电极本土供应商创造替代机会 13 2.3 神工有望成为国内头部刻蚀用硅电极本土供应商 ........... 15
3 供需错配推动半导体硅片量价齐升,战略布局轻掺低缺陷硅片把
握发展机遇 .................................................................................. 17 3.1 国内半导体硅片公司市场份额极低,轻掺硅片亟待补强 17
3.2 供需错配延续硅片涨价趋势, 8/12 英寸硅片将长期共存
............................................................................................. 19
3.3 8 英寸轻掺低缺陷硅片进展顺利,深厚研发实力支撑长期
发展 ...................................................................................... 20 4 盈利预测与投资建议 ................................................................. 23 5 风险提示 ................................................................................... 25
图
图 1 神工股份大直径单晶硅材料产品形态 ............................. 4 图 2 2020 年神工股份营收结构 .............................................. 4 图 3 全球半导体资本支出展望(十亿美元) .......................... 6 图 4 全球晶圆产能增长展望(千片/月) ................................ 6 图 5 有研硅发展历程 .............................................................. 8 图 6 神工股份和有研硅毛利率对比 ........................................ 9 图 7 神工股份和有研硅营收规模对比(亿元) ...................... 9 图 8 神工股份和有研硅研发费用率对比 ................................. 9 图 9 神工股份和有研硅研发人员情况对比 ............................. 9 图 10 半导体硅片正向大尺寸方向发展 ................................ 10 图 11 神工股份大直径单晶硅业务营收结构变化 .................. 11 图 12 公司毛利率变化 .......................................................... 11 图 13 半导体设备销售额季度变化 ........................................ 11 图 14 神工股份营收规模季度变化 ........................................ 11 图 15 硅电极产品示意图 ...................................................... 12 图 16 硅电极加工工艺流程 ................................................... 13 图 17 硅电极产业框架图 ...................................................... 13 图 18 北方华创设备业务规模变化(亿元) ......................... 14 图 19 中微公司设备业务规模变化(亿元) ......................... 14 图 20 硅片拉晶流程示意图 ................................................... 17 图 21 全球半导体硅片市场规模(亿美元) ......................... 18 图 22 国内半导体硅片市场规模(亿美元) ......................... 18
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公司深度
图 23 半导体硅片市场格局(2020 年) ............................... 18 图 24 全球半导体硅片出货面积(亿平方英寸) .................. 19 图 25 全球不同尺寸半导体硅片出货面积结构 ..................... 19 图 26 全球 12 寸晶圆需求趋势(万片/月) .......................... 20 图 27 全球 8 寸晶圆需求趋势(万片/月) ............................ 20 图 28 半导体硅片平均价格 ................................................... 20
附表 1 公司分业务增速与毛利预测(单位:百万元人民币) ...................................................................................... 24
表
表 1 神工股份大直径单晶硅材料处于国际先进水平 ............... 4 表 2 神工股份大直径单晶硅材料主要客户 ............................. 5 表 3 神工股份大直径单晶硅材料核心技术 ............................. 7 表 4 神工股份核心技术团队 ................................................... 8 表 5 中国大陆晶圆厂扩建情况不完全统计 ........................... 15 表 6 神工股份硅电极核心技术 .............................................. 16 表 7 神工股份硅片项目情况 ................................................. 21 表 8 神工股份半导体硅片制造核心技术 ............................... 21
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公司深度 |
1 产能居首技术领先,大直径硅料成长性大于周
期性
1.1 大直径单晶硅材料全球龙头,充分受益产业分工与转 移加速
神工股份的大直径单晶硅材料产品在技术、品质、产能和市 场份额等方面均处于国际先进水平。公司是刻蚀用硅电极上游——大直径单晶硅材料全球最大的供应商,产品尺寸范围覆盖 8 英寸 至 19 英寸,主要产品形态包括硅棒、硅筒、硅环和硅盘,纯度达 10 至 11 个 9,可满足 7nm 及以下先进制程芯片刻蚀环节对硅材料 的工艺要求。大直径单晶硅材料业务为公司目前主要营收来源,2020 年实现收入 1.82 亿元,占营收比重达 94.96%,在全球大直 径单晶硅材料市场占有率约为 13%-15%。
图 1 神工股份大直径单晶硅材料产品形态 | 图 2 2020 年神工股份营收结构 | |||
硅零部件及其 他, 0.37% | 其他业务, 4.67% | 15英寸以下, | ||
16-19 英寸, | ||||
22.56% | ||||
15-16 英寸, | ||||
33.00% | ||||
39.40% |
资料来源:公司官网,上海证券研究所
表 1 神工股份大直径单晶硅材料处于国际先进水平
资料来源:Wind,上海证券研究所
公司名称 | 材料纯度 | 材料尺寸 | 氧含量 | 径向电阻率差异 |
CoorsTek | 10-11 个 9 | 可满足 12 英寸硅片刻蚀工 | 10-40ppma | ≤5% |
Hana | 8-11 个 9 | 艺的尺寸要求 | ≤30ppma | ≤5% |
可满足 12 英寸硅片刻蚀工 | ||||
艺的尺寸要求 | ||||
SK 化学 | 8-11 个 9 | 可满足 12 英寸硅片刻蚀工 | ≤30ppma | ≤5% |
神工股份 | 10-11 个 9 | 艺的尺寸要求 | ≤30ppma | ≤5% |
可满足 12 英寸硅片刻蚀工 | ||||
艺的尺寸要求 |
资料来源:公司公告,上海证券研究所
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公司深度 |
硅电极厂对上游单晶硅材料的生产制造和稳定供应能力要求 严格,依赖程度高,神工因此深度受益。大直径单晶硅材料直接 下游为硅电极制造商,硅电极制造商往下对接刻蚀设备厂商和晶 圆制造厂商,神工股份大直径硅材料主要客户均为日韩美硅电极 厂商。硅电极制造商可分为两类:一类同时具备单晶硅材料制造 能力和硅电极加工能力,一类不具备单晶硅材料制造能力或单晶 硅材料制造能力较弱,需要从专业单晶硅材料制造商采购单晶硅 材料进行后道加工。由于硅电极的加工并不改变材料的物理化学 特性,因此上游单晶硅材料的产品质量直接影响到硅电极在刻蚀 环节的表现,产品认证门槛较高;产品认证通过之后,产品供应 能力对硅电极制造商的生产经营同样影响重大,叠加替换供应商 成本较高,稳定的供应能力进一步增加硅电极制造商对上游单晶 硅材料厂商的依赖;同时,单晶硅材料厂商在研发上能够协助硅 电极制造商完成自身技术及工艺的优化和提升,快速响应并满足 定制化的需求。神工股份目前已经顺利切入包括三菱材料、CoorsTek 、SK 化学、Hana 、WDX、Silfex 等日韩美硅电极制造 商,并且随着规模不断扩大,在产业环节中的重要性不断提升。
表 2 神工股份大直径单晶硅材料主要客户
序号 | 名称 | 情况简介 |
1 | 三菱材料 | 三菱材料注册地日本,是硅电极的主要供应商之一,其在诸多材料细分市场处于行业 |
领先地位,是日本三菱集团的核心成员单位。 | ||
2 | CoorsTek | CoorsTek 注册地日本,是东京电子的代工协作工厂之一,主要面向日本及中国市场提 |
供东京电子刻蚀设备用硅电极。 | ||
3 | SK 化学 | SK 化学注册地韩国,是硅电极的主要供应商之一,由于 SK 化学与 SK 海力士均属于韩 |
国 SK 集团持股公司,双方合作密切。 | ||
4 | Hana | Hana 注册地韩国,是东京电子的代工协作工厂之一,主要面向韩国市场提供东京电子 |
刻蚀设备用硅电极,主要目标客户为三星集团和海力士。 | ||
5 | WDX | |
WDX 注册地韩国,是硅电极主要供应商之一,主要从事硅和陶瓷材料的生产和销售。 | ||
6 | Silfex | Silfex 注册地美国,泛林集团子公司,主要为泛林集团刻蚀设备提供原配品硅电极产 |
7 | Wakatec | 品,是泛林集团刻蚀设备原配品硅电极的主要供应商。 |
Wakatec 注册地日本,主要从事半导体测试晶圆及特殊材料的生产与销售。 |
资料来源:招股说明书,上海证券研究所
产业分工与转移为国内大直径单晶硅材料厂商带来快速发展 机遇。随着集成电路工艺制程不断突破带来刻蚀环节“质”和“量”同步升级,晶圆厂产线快速扩张提升设备、材料需求,大 直径单晶硅材料市场需求随之增长,硅电极制造商单晶硅材料制 造和加工环节产业分工趋势或更加明晰,叠加第三次半导体产业 转移带来中国大陆半导体产业份额不断提升,国内大直径单晶硅
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公司深度 |
材料厂商迎来快速发展机遇。高精度纳米制程技术的不断突破以 及晶圆的大尺寸化趋势,不仅意味着晶圆制造需要执行更多的刻 蚀工艺步骤,需要消耗更多的硅电极,也引领硅电极往大尺寸方 向升级迭代,价值量进一步提升。5G、电动汽车、AIoT 等不断提 升半导体市场需求,刺激全球晶圆厂快速扩张,也拉动了上游设 备、材料的需求。第三次半导体产业转移大背景下,中国大陆半 导体产业快速发展,已经逐渐成为半导体产业转移的需求中心和 产能中心,国内大直径单晶硅材料厂商面临广阔的发展空间。
图 3 全球半导体资本支出展望(十亿美元) | 图 4 全球晶圆产能增长展望(千片/月) | |||||||||
代工厂 | IDM厂 | 封测厂 | 147.5 | 8000 7000 6000 5000 4000 3000 2000 1000 0 | ||||||
180 | ||||||||||
160 | 142.0 | 156.5 | 145.4 | 140.0 | ||||||
140 | 88.8 | |||||||||
120 | 110.5 | |||||||||
100 | ||||||||||
80 | 51.0 | |||||||||
71.0 | ||||||||||
60 | ||||||||||
40 | ||||||||||
20 | 34.5 | |||||||||
0 | 2025E | |||||||||
2020 | 2021E | 2022E | 2023E | 2024E | ||||||
2015 | 2019 | 2024E | ||||||||
资料来源:SUMCO,上海证券研究所 | 资料来源:SEMI,上海证券研究所 |
1.2 材料工艺自主可控,技术实力强成本优势大
神工股份掌握了 19 英寸及以下尺寸单晶体的所有技术工艺,构建了较高的技术壁垒,规模效应进一步凸显成本优势。公司一 直专注于刻蚀用单晶硅材料的研发、生产和销售,突破并优化了 多项关键技术,公司产能利用率、良品率等指标也不断提升,单 位成本不断下降。公司凭借无磁场大直径单晶硅制造技术、固液 共存界面控制技术、热场尺寸优化工艺等多项业内领先的工艺或 技术,使公司能够不借助强磁场,在单晶生长设备既有规格基础 上生产出更大尺寸的单晶硅,因此在维持较高良品率和参数一致 性水平的基础上有效降低了单位生产成本。公司主要产品也均处 于规模化生产阶段,成本优势进一步凸显。
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公司深度 |
表 3 神工股份大直径单晶硅材料核心技术
序号 | 核心技术 | 技术水平 | 技术优势 |
1 | 无磁场大直 | 达到国际先进水平, | 公司通过有限元热场模拟分析技术,根据产品技术要求开发相应的 |
径单晶硅制 | 产品广泛应用于先进 | 热场及匹配工艺,无需借助强磁场系统抑制对流,实现了无磁场环 | |
2 | 造技术 | 制程集成电路制造 | 境下大直径单晶硅的制造,有效降低了单位成本。 |
达到国际先进水平, | |||
固液共存界 | 公司拥有的固液共存界面控制技术确保晶体生长不同阶段均能保持 | ||
产品广泛应用于先进 | |||
面控制技术 | 制程集成电路制造 | 合适的固液共存界面,大幅提高了晶体制造效率和良品率。 |
公司借助有限元分析技术进行生产环境的模拟测算,通过多年持续
3 | 热场尺寸优 | 达到国际先进水平, | 的研发试验,逐步提升了热场设计能力并实现了热场尺寸的优化。 |
产品广泛应用于先进 | 目前公司成品晶体直径与热场直径比已提高到 0.6-0.7 的技术水 | ||
化工艺 | |||
制程集成电路制造 | 平,已实现使用 28 英寸石英坩埚完成 19 英寸晶体的量产,有效降 |
低了生产投入成本。
4 | 多晶硅投料 | 达到国际先进水平, | 在保证高良品率的前提下,公司实现了多晶硅原材料与回收料配比 |
产品广泛应用于先进 | |||
5 | 优化工艺 | 制程集成电路制造 | 投入并量产,同时实现了单位炉次投料量及良品产量不断增长。 |
P 型单晶硅棒电阻率控制是通过将硼系列合金掺入硅熔液中实现。 | |||
电阻率精准 | 达到国内先进水平, | ||
产品广泛应用于集成 | 公司通过掺杂剂的标定方法、掺杂剂在硅溶液中的扩散计算方法、 | ||
6 | 控制技术 | 电路制造过程 | 目标电阻的设定方式实现了产品电阻率的精准控制。 |
达到国内先进水平, | |||
引晶技术 | 通过控制晶体颈部的直径及长度等参数,快速排除晶体面缺陷和线 | ||
产品广泛应用于集成 | |||
7 | 点缺陷密度 | 电路制造过程 | 缺陷,减少晶体位错,从而提高一次引晶的成功率。 |
轻掺晶体中容易产生晶体原生颗粒等点缺陷,导致单晶硅不能用于 | |||
达到国内先进水平, | |||
微小设计线宽的集成电路制造,减少或消除晶体点缺陷是开发先进 | |||
产品部分应用于集成 | |||
控制技术 | 制程硅片的前提,公司已实现在无磁场环境下利用点缺陷密度控制 | ||
电路制造过程 | |||
技术控制并有效降低点缺陷密度。 |
资料来源:公司公告,上海证券研究所
神工股份核心技术团队具备海外硅片行业深厚经验,技术实 力强劲,降维布局刻蚀用单晶硅材料发展迅速。半导体级单晶硅 材料可分为芯片用单晶硅材料和刻蚀用单晶硅材料,刻蚀用单晶 硅材料微缺陷率参数对后续工艺的重要性水平相对较低,芯片用 单晶硅材料对微缺陷率参数要求严格,需控制材料内部微缺陷率 保持低水平甚至接近零方能满足后续工艺要求。公司核心技术人 员潘连胜、山田宪治都有海外硅片企业工作经验,13 年成立神工 股份降维到刻蚀用单晶硅材料领域,短短两年就实现了盈利,公 司的强劲技术实力可见一斑。
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公司深度 |
表 4 神工股份核心技术团队
姓名 | 职务 | 简介 |
北京航空学院飞机设计专业工学学士,哈尔滨工业大学金属材料专业工学硕士,日本 早稻田大学材料科学专业工学博士;1988 年至 1993 年任航天部第三研究院设计工程 师,1993 年至 1994 年获航天部公派赴日本东京三和工机株式会社任设计工程师,
潘连胜 | 董事长 | 1994 年至 1998 年在日本早稻田大学就读,1998 年至 2007 年历任日本东芝陶瓷株式 |
会社研究员,销售经理,2007 年至 2008 年任科跋凌材料公司(CovalentMaterials | ||
总经理 | ||
Corporation)销售经理,2008 年至 2013 年任科跋凌(上海)贸易有限公司第一分公司总 |
经理;2013 年 7 月创立神工有限,任副董事长,总经理;自 2015 年起任神工有限董 事长,总经理,2018 年 9 月起任公司董事长,总经理.
山田宪治 | 技术研发 | 日本山口大学工学硕士;1987 年至 2012 年先后于日铁电子株式会社,世创日本株式会 |
社任职,2012 年至 2016 年在日本神工新技株式会社工作,2016 年 9 月起在神工有 | ||
总监 | 限工作,现任锦州神工半导体股份有限公司技术研发部部长。 |
大连理工大学工学硕士;2006 年至 2007 年任浙江天煌科技有限公司技术专员,2007
秦朗 | 技术研发 | 年至 2009 年任大连维德集成电路有限公司工程师,2009 年至 2013 年任锦州阳光能 |
部科长 | 源有限公司技术主管;2013 年 7 月起在神工有限工作,现任锦州神工半导体股份有限 | |
公司技术研发部科长。 |
资料来源:Wind,上海证券研究所
相较于国内对标企业有研硅,神工的起步虽晚但优势显著。
有研硅是国内最早开展半导体硅材料业务的企业之一。有研硅前 身为有研科技集团有限公司(原北京有色金属研究总院)401 室,自上世纪 50 年代开始硅材料研究,积累了丰富的硅材料研发核心 技术及生产经验。2018 年公司完成混合所有制改革,控股股东株 式会社 RS Technologies 是全球知名的半导体晶圆片再生制造企 业。有研硅在国内率先实现 6 英寸、8 英寸硅片的产业化及 12 英 寸硅片的技术突破,并于 2005 年实现集成电路刻蚀设备用硅材料 产业化,目前有研硅主要产品包括半导体硅抛光片、刻蚀设备用
硅材料、半导体区熔硅单晶等。
图 5 有研硅发展历程
资料来源:有研硅官网,有研硅招股书,上海证券研究所
请务必阅读尾页重要声明 8
公司深度 |
神工股份高毛利率凸显成本优势和强劲技术实力,后来居上 产能与营收规模迅速增长。神工股份近年综合毛利率均超 60%,有研硅刻蚀设备用硅材料业务毛利率水平仅在 40%左右,毛利率 差异凸显神工股份成本优势与强劲技术实力。有研硅 2005 年就实 现刻蚀设备用硅材料产业化,神工股份 2013 年才成立, 2018 年 神工股份实现营收 2.83 亿元,产能规模达 272.4 吨/年,有研硅刻 蚀设备用硅材料实现营收 2.54 亿元,产能规模为 234 吨/年,神工 股份后来居上实现营收和产能规模反超,增长十分迅速。
图 6 神工股份和有研硅毛利率对比
80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0% | 神工股份 | 有研硅(刻蚀设备用硅材料) | ||
2018 | 2019 | 2020 | 2021H1 |
资料来源:Wind,上海证券研究所
图 7 神工股份和有研硅营收规模对比(亿元)
3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 | 神工股份 | 有研硅(刻蚀设备用硅材料) | |||||
公司深度 | |
1.3 大径化趋势推动份额持续提升,助力公司穿越周期 |
半导体硅片不断向大尺寸方向发展,刻蚀用单晶硅材料大径 化趋势明显,大直径单晶硅材料厂商深度受益。摩尔定律推动半 导体硅片向大尺寸演进,半导体硅片尺寸从最初的 50mm 已升级 到 300mm,300mm 硅片刻蚀加工需要超过 300mm 的硅电极零部 件,拉动了大直径单晶硅材料需求。而大直径单晶硅材料生产资 金投入高,直径越大工艺技术越复杂,硅电极厂商自给意愿不强,外购上游大直径单晶硅材料厂商产品权重或上升,大直径硅材料 厂商迎来新的成长空间。目前干式刻蚀机腔体内硅部件“大型化”趋势日趋明显。从技术角度来看,硅结构件产品相比其他材质,更适合应用于纯净度要求较高的刻蚀机腔体中;因刻蚀机腔体内 的结构件校大,且单晶硅材质的成本高于多晶硅材质,客户出于 成本考虑,有多晶替代需求。
图 10 半导体硅片正向大尺寸方向发展
400 | 300 |
350
300
250 | 150 | 200 |
200 |
125
150 | 50 | 75 | 100 |
100 |
50
0
1965 | 1970 | 1975 | 1980 | 1985 | 1990 | 1995 | 2000 | 2005 |
资料来源:沪硅产业招股书,上海证券研究所
神工股份较大直径单晶硅材料份额近年稳步提升,毛利率也 逐年攀升,超大直径硅材料研发进展顺利,刻蚀用硅材料龙头地 位愈加巩固。2016-2020 年,公司大直径单晶硅材料 15 英寸以上 产品占比从 56%提升至 65%,其中 16-19 英寸产品占比从 16%提 升到 24%。单晶硅材料产品直径越大毛利率越高,16-19 英寸产品 毛利率接近 80%,较大直径单晶硅材料份额提升带来单晶硅材料 业务综合毛利率水平逐年攀升,2016-2020 年从 44%提升到 68%。
同时公司使用 28 英寸热场成功拉制直径达到 550mm(22 英寸)的晶体,进一步巩固了公司在大直径单晶硅材料领域的技术地位;公司还开展了 22 英寸以上半导体零部件用的多晶质材料的工艺攻 关,取得了更多的热场优化试验数据,良品率继续提高,同时开 展了多晶质零部件的基本加工工艺研发,完成初始工艺和小批量
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公司深度 |
生产,材料纯度基本符合设计值。
图 11 神工股份大直径单晶硅业务营收结构变化 | 图 12 公司毛利率变化 | |||||||||||||||||
15英寸以下 | 15-16英寸 | 16-19英寸 | 15英寸以下 | 15-16英寸 | 16-19英寸 | |||||||||||||
100% 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0% | ||||||||||||||||||
公司深度 |
2 国内晶圆厂加速扩张,国产刻蚀机助力硅电极
实现进口替代
2.1 硅电极加工工艺难,单体价值量高,发展空间更大 神工股份 2020 年向下游拓展硅电极零部件业务,由全资子公 司福建精工半导体承接,已覆盖 6-12 英寸硅电极部分产品。硅电 极零部件产品主要包括上电极、下电极以及外套环等,上电极表 面有密集微小通孔,除了作为附加电压的负极,还作为刻蚀气体 进入腔体的通路;下电极内侧加工有台阶和定位凸出部,主要用 于承载硅片以及作为附加电压的正极;外环套是支撑上电极及其 他相关零件的承载部件,主要用于保证等离子干式刻蚀机腔体的 密封性和纯净度。硅电极在刻蚀加工工艺过程会被逐渐腐蚀并变 薄,当硅电极厚度减少到一定程度后,需替换新的硅电极,因此 硅电极是晶圆制造刻蚀工艺的核心耗材。2020 年,神工股份硅电 极业务逐步批量生产,实现营收 70 万元。
图 15 硅电极产品示意图
上电极 | 下电极 |
资料来源:精工半导体官网,上海证券研究所
硅电极加工工艺难度高,高附加值带来更大市场空间。硅上 电极作为刻蚀气体的通路,微孔数量往往达上千个,微孔的尺 寸、分布和内壁质量对刻蚀晶圆表面的沟槽精度、均匀性等指标 都有着重大影响,这就对硅电极微孔的尺寸精度、位置精度还有 每个微孔内壁表面的光滑度提出了极高的要求,打孔技术和孔内 腐蚀清洗技术成为了硅电极加工工艺核心难点。同时,单晶硅材 料属于硬脆材料,加工过程容易发生崩裂等表面细微损伤,这进 一步加大了硅电极加工的工艺难度。据 SEMI 数据,2020 年全球
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刻蚀用硅电极市场规模约 18 亿美元,全球刻蚀用单晶硅材料市场 规模约 3 亿美金,高难度加工工艺带来更高附加值,硅电极市场 发展空间更大。
图 16 硅电极加工工艺流程
资料来源:《材料科学》,上海证券研究所
2.2 晶圆厂与刻蚀设备厂为硅电极本土供应商创造替代机 会
硅电极对下游的供应主要分为两种方式:一是对接刻蚀设备 厂商提供原配品硅电极,二是对接晶圆制造厂商提供非原配品硅 电极。刻蚀设备厂商通常指定通过其认证的硅电极制造商生产与 其刻蚀设备相配套且满足特定工艺要求的原配品硅电极,并提供 给下游晶圆厂。原配品硅电极虽然与刻蚀设备匹配度更高,但价 格相对更贵。晶圆厂往往在采购新刻蚀设备时出于获取刻蚀设备 供应商售后服务和技术支持的考虑会倾向于购买原配品硅电极,当晶圆厂掌握刻蚀设备使用工艺后,出于成本考虑会寻找非原配 品硅电极予以替代。同时随着硅电极生产工艺的不断成熟,非原 配品硅电极与原配品硅电极的技术差距越来越小,在综合考虑成 本效益和产品质量的基础上,晶圆厂针对老旧刻蚀机型更倾向于 使用非原配品硅电极。
图 17 硅电极产业框架图
硅材料制造商 |
提供单晶硅材料
硅电极制造商
提供原配品硅电极 提供非原配品硅电极
提供刻蚀设备
刻蚀机设备供应商 芯片制造厂商 提供原配品硅电极
资料来源:神工股份招股书,上海证券研究所
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国产替代背景下国内刻蚀设备厂商发展迅速,成为国内硅电 极厂商新增长曲线。全球刻蚀机市场主要被泛林半导体、东京电 子、应用材料占据主要份额,CR3 超 90%,国内刻蚀设备厂商份 额极低,国内刻蚀设备配套零部件产业链也因此发展缓慢。国产 替代背景下,国内刻蚀设备厂商发展迅速,营收规模快速增长,硅电极等刻蚀设备配套零部件需求随之上升。国内硅电极厂商有 望通过国内刻蚀设备厂商认证,为其提供原配品硅电极零部件,打开新增长曲线,受益于国产化率不断提升得到快速发展。
图 18 北方华创设备业务规模变化(亿元)
60 | 电子工艺装备 | YOY(右轴) | 80% | ||||
50 | 70% | ||||||
40 | 60% | ||||||
50% | |||||||
30 | |||||||
40% | |||||||
20 | 30% | ||||||
10 | 20% | ||||||
0 | 10% | ||||||
0% | |||||||
2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021H1 |
资料来源:Wind,上海证券研究所
图 19 中微公司设备业务规模变化(亿元)
20 | 专用设备 | YOY(右轴) | 80% | ||||
18 | 70% | ||||||
16 | 60% | ||||||
14 | |||||||
50% | |||||||
12 | |||||||
10 | 40% | ||||||
8 | 30% | ||||||
6 | 20% | ||||||
4 | 10% | ||||||
2 | |||||||
0 | 0% | ||||||
2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021H1 |
资料来源:Wind,上海证券研究所
国内晶圆厂快速扩张,国内硅电极厂商迎来补位替代机会。国内晶圆厂一直以来主要从海外刻蚀设备龙头采购刻蚀机,经过 多年的学习积累,国内工程师已经十分熟悉存量刻蚀设备的使用 与维护,这使得国内晶圆厂能够根据存量刻蚀设备的工艺型号去 寻觅性价比更高的第三方硅电极零部件供应商,而不必依赖于原 配品硅电极单一渠道。伴随半导体工艺制程不断往前推进,刻蚀 设备以及配套零部件也在不断升级迭代,海外硅电极厂商在老旧 刻蚀机台配套硅电极零部件的生产上积极性不高,国产硅电极厂 商立足中国大陆区位优势,有望受益国内晶圆厂快速扩张机遇实 现快速发展。
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表 5 中国大陆晶圆厂扩建情况不完全统计
扩建厂商 | 扩建地点 | 投资金额 | 扩建项目 | 产能预计释放时间 |
士兰微 | 厦门 | 50 亿元 | 扩增至 3 万片 12 英寸 90-65 纳米产能 | 2021-2022 |
杭州 | 21 亿元 | 扩增至 8 万片 8 英寸产能 | 2021-2022 | |
华润微 | 重庆 | |||
未知 | 新建 3 万片 12 英寸产能 | 2022-2023 | ||
闻泰科技 | 上海 | 120 亿元 | 新建 3-4 万片 12 英寸产能 | 2022-2023 |
华虹集团 | 无锡 | |||
52 亿元 | 扩增至 6.5 万片 12 英寸 90-65/55 纳米产能 | 2021-2022 | ||
中芯国际 | 天津 | 未知 | 扩增至 4.5 万片 8 英寸产能 | 2021-2022 |
北京 | 未知 | |||
扩增 1 万片 12 英寸 28 纳米及以上产能 | 2021-2022 | |||
中芯深圳 | 深圳 | 23.5 亿美元 | 新建 4 万 12 英寸 28 纳米及以上产能 | 2022-2023 |
中芯京城 | 北京 | |||
76 亿美元 | 新建 10 万 12 英寸 28 纳米及以上产能 | 2024-2025 | ||
晶合集成 | 合肥 | 未知 | 新增 N2 厂 4 万片 12 英寸 55-40 纳米产能 | 2022-2023 |
晶合集成 | 合肥 | 未知 | ||
新建 N3 厂 16 万片 12 英寸产能 | - | |||
粤芯半导体 | 广州 | 65 亿元 | 二期扩增 2 万片 12 英寸 90-65 纳米产能 | 2021-2022 |
绍兴中芯 | 绍兴 | |||
61.3 亿元 | 一期扩增至 10 万片产能 | 2021-2022 | ||
绍兴中芯 | 绍兴 | 160 亿元 | 二期新建 6 英寸化合物器件晶圆制造和 8 英寸特 | - |
色工艺生产线项目 | ||||
宁波中芯 | 宁波 | 40 亿元 | N2 厂新增年产 33 万片 8 英寸产能 | 2022-2023 |
海辰半导体 | 无锡 | |||
14 亿美元 | 释放约 6.5 万片 8 英寸产能 | 2021-2022 | ||
台积电 | 南京 | 28.87 亿美元 | 扩增 2 万片 12 英寸 28 纳米及以上产能 | |
2022-2023 | ||||
联电 | 厦门 | |||
4 亿美元 | 12 英寸 5000 片 28 纳米产能 | 2021-2022 | ||
三星 | 西安 | - | 二期扩增 13 万片产能 | |
2022 |
资料来源:芯思想,今日半导体,上海证券研究所
2.3 神工有望成为国内头部刻蚀用硅电极本土供应商
神工股份针对硅电极加工难点实现技术突破,国内客户验证 进展顺利。针对硅电极加工打孔难点,公司开发出了低损伤的高 速钻微孔技术(高速机械钻孔技术),对大深径比的微孔进行加工,既提高了加工精度,又极大地减少孔内壁的损伤层,从而改善了 产品质量;针对孔内腐蚀清洗技术,公司研发了硅电极微深孔内 壁抛光技术,对孔内表面进行抛光处理保证了表面洁净度;针对 刻蚀设备厂商定制化的螺纹孔需求,公司还研发了脆性材料非标 螺纹加工技术,可以制造各种规格的螺纹。公司在硅电极加工方 面的核心技术已应用于批量生产中,并通过了国内刻蚀机设备厂 商的评估认证,得到了批量长期订单。另外经过 2021 年全年的市 场推广,公司在多家 12 英寸 IC 生产厂家也获得了送样评估机会,并获得了某些客户的小批量订单。
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表 6 神工股份硅电极核心技术
序号 | 核心技术 | 技术水平 | 技术优势 |
1 | 硅电极微深孔内 | 达到国内先进水平, | 硅电极产品制作过程中需要打通近千个微小深孔,为了 |
产品部分应用于集成 | 减少刻蚀过程中的微小颗粒物数量,必须对其内表面进 | ||
壁加工技术 | |||
电路制造过程 | 行抛光工艺处理,达到无毛刺、表面洁净的效果。 | ||
2 | 脆性材料非标螺 | 达到国内先进水平, | 针对某厂家最先进的刻蚀机,其硅质电极要求制作不同 |
规格的螺纹孔。公司通过对硅这种脆性材料的深入研 | |||
产品部分应用于集成 | |||
纹加工技术 | 究,开发出一系列精巧的加工工艺,可以制作各种规格 | ||
电路制造过程 | |||
的螺纹,并且能够保证螺纹的完整性和强度。 |
资料来源:公司公告,上海证券研究所
立足“材料+加工”一体化优势,神工股份有望成为国内唯一 从材料到成品一体化的刻蚀用硅电极本土供应商。全球主要刻蚀 机生产厂商和刻蚀用硅电极制造商均主要位于日本、韩国和美国,伴随着半导体产业向中国大陆转移以及国内刻蚀设备厂商份额不 断提升,硅电极市场格局或发生改变。神工股份布局覆盖刻蚀用 单晶硅材料和硅电极零部件,面对中国大陆增量市场空间,有望 凭借一体化优势和区位优势迅速抢占市场份额,树立并巩固自身 在国内硅电极市场的领先地位,改变全球硅电极市场格局。为了 更好的满足国内硅电极市场日益提升的需求,神工股份积极进行 硅电极的产能储备,除却福建精工半导体,公司还追加在锦州建 设硅零部件加工场所,这不仅扩充了硅电极产能,南北两厂的布 局有利于更好的服务国内市场,还提高了从原材料到成品的技术 生产衔接,加强了研发团队针对各种加工方法的反馈速度和反馈 强度。
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3 供需错配推动半导体硅片量价齐升,战略布局
轻掺低缺陷硅片把握发展机遇
3.1 国内半导体硅片公司市场份额极低,轻掺硅片亟待补 强
硅片根据掺杂程度不同可分为轻掺硅片和重掺硅片。从多晶 硅到单晶硅片的制造过程中会加入掺杂元素来改变硅片的导电能 力,掺杂元素的掺入量越大,硅片的电阻率越低,根据掺杂程度 不同分为轻掺硅片和重掺硅片。轻掺硅片一般用于逻辑等超大规 模集成电路,重掺硅片主要用作外延片的衬底应用在功率器件等 领域。从全球市场 8 英寸硅片总需求上看,轻掺硅片约占全部需 求的 70%;在 12 英寸硅片总需求中,轻掺硅片占比几近 100%。
轻掺硅片工艺难点源于对缺陷率的严格控制。重掺硅片与轻 掺硅片工艺不同,重掺硅片需在重掺单晶硅材料制成的衬底片上 生长一层几十微米到一百多微米不等的外延层,因为有外延层,所以重掺单晶体对缺陷要求较低;而轻掺硅片没有外延层,因此 对轻掺硅晶体材料的原生缺陷要求很高。国内硅片技术相对落 后,规模化产品主要为重掺低阻产品,用于厚膜外延片底板及之 后的亚微米级制程芯片的生产,轻掺硅片产品主要依赖进口。
图 20 硅片拉晶流程示意图
资料来源:中欣晶圆官网,上海证券研究所
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国内半导体硅片市场规模快速提升。半导体晶圆制造材料占 半导体材料市场比重达 63%,其中半导体硅材料为晶圆制造材料 主要组成部分,占比约 35%。全球半导体硅片市场规模稳中有升,2018 年同比增长 31%达到 114 亿美元,2019-2020 年稳定在 112 亿美元。据 SEMI 最新数据,2021 年全球半导体硅片市场规模达 126.2 亿美元,同比增长 13%。伴随第三次半导体产业转移趋势,国内半导体全产业链得到快速发展,国内半导体硅片市场规模步 入了飞跃式发展阶段,2018 年至 2020年,国内半导体硅片市场规 模从 9.92 亿美元上升至 13.35 亿美元,CAGR 为 16.01%。
图 21 全球半导体硅片市场规模(亿美元) | 图 22 国内半导体硅片市场规模(亿美元) |
120 | 全球半导体硅片市场规模 | 同比(右轴) | 40% | ||||||||
100 | 30% | ||||||||||
80 | 20% | ||||||||||
60 | 10% | ||||||||||
40 | 0% | ||||||||||
20 | -10% | ||||||||||
0 | -20% | ||||||||||
2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 |
16 | 国内半导体硅片市场规模 | 同比(右轴) | 50% | ||||||||
14 | 40% | ||||||||||
12 | |||||||||||
30% | |||||||||||
10 | 20% | ||||||||||
8 | 10% | ||||||||||
6 | |||||||||||
0% | |||||||||||
4 | |||||||||||
2 | -10% | ||||||||||
0 | -20% | ||||||||||
2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 |
资料来源:有研硅招股书,SEMI,上海证券研究所 | 资料来源:有研硅招股书,上海证券研究所 |
全球半导体硅片市场集中度很高,CR5 接近 90%。2020 年全 球排名前五的半导体硅片厂商分别为日本信越化学、日本 SUMCO、中国台湾环球晶圆、德国 Siltronic、韩国 SK Siltron。由于半导体 硅片行业具有技术难度高、研发周期长、资金投入大、客户认证 周期长等特点,境外硅片龙头占据先发优势, 300mm 硅片早就进 入量产商业化阶段,而国内 300mm 硅片才刚刚起步。
图 23 半导体硅片市场格局(2020 年)
其他, 13.39%
信越化学,
27.53%
SK Siltron,
11.31%
Siltronic,
11.46%
SUMCO,
环球晶圆, 21.51%
14.80%
资料来源:SEMI,上海证券研究所
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3.2 供需错配延续硅片涨价趋势, 8/12 英寸硅片将长期 共存
全球半导体硅片出货面积持续增长,8/12 英寸成为最主流尺 寸。据 SEMI 数据,2021 年全球半导体硅片出货面积将创下新高,超 140 亿平方英寸,同比增长 14.2%;2022-2024 年,半导体硅片 出货量有望继续逐年持续创下新高,出货面积有望达 149/156/160 亿平方英寸。从出货面积结构来看,8 英寸份额占比逐步提升并趋 于稳定,维持在 25%-27%;12英寸硅片份额占比持续提升,2020 年市场份额已提升至 68.08%,成为半导体硅片市场最主流的产品,预计到 2022 年市场份额将接近 70%。
图 24 全球半导体硅片出货面积(亿平方英寸) | 图 25 全球不同尺寸半导体硅片出货面积结构 |
140 | 全球半导体硅片出货面积统计 | 同比(右轴) | 15% | ||||||||
120 | 10% | ||||||||||
100 | 5% | ||||||||||
80 | |||||||||||
60 | 0% | ||||||||||
40 | -5% | ||||||||||
20 | |||||||||||
-10% | |||||||||||
0 | |||||||||||
2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 |
100% 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0% | 75mm | 100mm | 125mm | 150mm | 200mm | 300mm | ||||||||||||||||||||
200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020
资料来源:SEMI,上海证券研究所
资料来源:SEMI,上海证券研究所
工艺成熟度和成本优势决定 8 英寸硅片将长期与 12 英寸硅片
共存。大尺寸化趋势推动 12 英寸硅片份额不断提升,根据 SUMCO 发布的全球 12 英寸晶圆需求预测数据,2021 年全球 12 英寸晶圆需求将达到 720 万片/月,到 2025 年将达到 910 万片/月,其中需求占比最大的终端应用为智能手机,其次为数据中心、PC/ 平板电脑、汽车,数据中心和汽车对 12 英寸晶圆的需求增长最为 快速。8 英寸硅片在高精度模拟电路、高压功率芯片、射频前端芯 片、嵌入式存储器、CMOS 图像传感器、高压 MOS 等特色芯片产 品上制造工艺更加成熟,同时 8 英寸产线大都折旧完毕带来显著的 成本优势,加上汽车电子、工业电子等应用端需求驱动,8 英寸硅 片需求长期存在。综合来讲,8 英寸和 12 英寸硅片会长期共存,在各自的特定领域有不可替代的优势。
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图 27 全球 8 寸晶圆需求趋势(万片/月) | 公司深度 | |
图 26 全球 12 寸晶圆需求趋势(万片/月) |
800 | 12英寸硅片季度需求 | 季度环比增速(%,右轴) | 10% |
700 | 8% | ||
600 | 6% | ||
500 | 4% | ||
400 | 2% | ||
300 | 0% | ||
200 | -2% | ||
100 | -4% | ||
0 | -6% |
资料来源:SUMCO,上海证券研究所
600 | 8英寸硅片季度需求 | 季度环比增速(%,右轴) | 15% | ||||||||||||||||||||||||||||
500 | 10% | ||||||||||||||||||||||||||||||
400 | 5% | ||||||||||||||||||||||||||||||
300 | 0% | ||||||||||||||||||||||||||||||
200 | -5% | ||||||||||||||||||||||||||||||
100 | -10% | ||||||||||||||||||||||||||||||
0 | -15% | ||||||||||||||||||||||||||||||
1Q14 | 2Q14 | 3Q14 | 4Q14 | 1Q15 | 2Q15 | 3Q15 | 4Q15 | 1Q16 | 2Q16 | 3Q16 | 4Q16 | 1Q17 | 2Q17 | 3Q17 | 4Q17 | 1Q18 | 2Q18 | 3Q18 | 4Q18 | 1Q19 | 2Q19 | 3Q19 | 4Q19 | 1Q20 | 2Q20 | 3Q20 | 4Q20 | 1Q21 | 2Q21 |
资料来源:SUMCO,上海证券研究所
行业高景气度刺激晶圆厂积极扩产,硅片迎来量价齐升趋势。受益于终端需求拉动,国内外晶圆厂纷纷在积极扩厂,而硅片作 为晶圆厂最重要的原材料,迎来需求的快速提升。面对晶圆厂的 产能需求,硅片大厂都在扩产,但扩产速度与市场需求增速相比 较为缓慢,且扩产主要集中于 12 英寸硅片。据 SUMCO 表示,其 12 英寸硅片产能(包括新厂的新增产能)的长期合约已签约到 2026 财年,8 英寸硅片需求预计也会继续加强。据 SEMI 数据,半导体 硅片价格从 2016 年 0.67 美元/平方英寸增长至 2019 年的 0.95 美 元/平方英寸,2020 年价格 0.90 美元/平方英寸。考虑目前硅片供 需错配的情况,硅片价格有望持续上涨。
图 28 半导体硅片平均价格
1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 | 半导体硅片平均价格(美元/平方英寸) | |||||||||
2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 |
资料来源:SEMI,上海证券研究所
3.3 8 英寸轻掺低缺陷硅片进展顺利,深厚研发实力支撑 长期发展
对标信越化学,神工股份基于大直径单晶硅材料拉晶工艺积 累,募投布局高技术门槛的 8英寸轻掺低缺陷抛光片项目。大直径 单晶硅材料与 8 英寸半导体级单晶硅材料虽然应用领域不同,对具 请务必阅读尾页重要声明 20
公司深度 |
体技术参数指标的要求不同,但两者在生产工艺方面存在共通性,重点技术领域均涵盖了固液共存界面控制技术、电阻率精准控制 技术、引晶技术等。相比大直径单晶硅材料,8 英寸半导体级单晶 硅材料对晶体原生微缺陷率、面内电阻率均匀率、表面异物数量 等多项指标要求更加严格。神工股份募投建设 8 英寸轻掺低缺陷抛 光片项目,项目达产预计实现年产 180 万片 8 英寸半导体级硅单 晶抛光片以及 36 万片半导体级硅单晶陪片的产能规模。
表 7 神工股份硅片项目情况
序号 | 项目名称 | 项目内容 | 使用募投资金投 |
入金额(万元) |
拟建设 8 英寸半导体级硅单晶抛光片生产线。本募投项
1 | 8 英寸半导体级硅单晶 | 目建设完成并顺利达产后,公司将具备年产 180 万片 8 | 86,923.41 |
抛光片生产建设项目 | 英寸半导体级硅单晶抛光片以及 36 万片半导体级硅单晶 |
陪片的产能规模。
研发中心建成后将主要围绕以下方向进行研发工作:超
2 | 研发中心建设项目 | 大直径晶体研发、芯片用低缺陷晶体研发、硅片超平坦 | 23,276.81 |
加工和清洗技术研发、硅片质量评价分析技术研发、
合计 | 110,200.22 |
资料来源:神工股份招股书,上海证券研究所
立足晶体生长技术起点,研发突破硅片加工核心技术。硅片 生产整体可分为三大工序:晶体生长、硅片加工前道(切、磨)和硅片加工后道(抛光、清洗)。目前公司在晶体生长环节的生产 工艺基本成熟,研发掌握晶体生长稳态化控制技术、低缺陷单晶 生长技术等,良率水平向国际一流硅片生产商看齐;在硅片加工 前道和后道环节,公司通过持续研发,已掌握高良率切片技术、高效化学腐蚀及清洗技术、超平整度研磨抛光技术、硅片检测评 价技术、硅片表面微观线性损伤控制技术、低酸量硅片表面清洗 技术、线切割过程中硅片翘曲度的稳定性控制技术等核心技术。
表 8 神工股份半导体硅片制造核心技术
序号 | 核心技术 | 技术水平 | 技术优势 |
1 | 晶体生长稳态化 | 达到国内先进水平, | 基于理论和实践结果,生长状态保持稳定,有利于获得 |
更高品质的晶体。在晶体生长过程中,通过对热系统的 | |||
产品部分应用于集成 | |||
控制技术 | 配置、工艺参数控制,保持均匀的原子排列速度,使晶 | ||
电路制造过程 | |||
体的生长处于稳定状态。 | |||
2 | 硅片表面微观线 | 达到国内先进水平, | 硅片抛光过程难免出现一些小划痕,从而降低良品率。 |
产品部分应用于集成 | 在抛光工序中,通过系统性的工艺改良,大大减少划痕 | ||
性损伤控制技术 | |||
电路制造过程 | 的出现概率,提高良品率。 | ||
3 | 低酸量硅片表面 | 达到国内先进水平, | 对于去除硅片表面的重金属污染,传统方法是使用浓度 |
产品部分应用于集成 | 较高的酸混合液。通过改良清洗配方,降低酸的使用 | ||
清洗技术 | |||
电路制造过程 | 量,达到同样的去除金属效果。 | ||
4 | 线切割过程中硅 | 达到国内先进水平, | 通过对线切割过程中张力、砂浆配比,砂浆温度等参数 |
片翘曲度的稳定 | 产品部分应用于集成 | 进行优化调整,有针对性地调整局部参数,系统性保障 | |
性控制技术 | 电路制造过程 | 线切割过程的稳定性,有效控制硅片的翘曲度。 |
资料来源:公司公告,上海证券研究所
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8 英寸轻掺低缺陷抛光片项目进展顺利,核心技术团队助力公 司成为国产轻掺硅片优势供应商。公司 2021 年初打通硅片产线,上半年已完成第一阶段月产能 5 万片的设备安装调试工作,目前按 计划以每月 8000 片的规模进行生产,以持续优化工艺,产品已进 入客户认证流程,进展顺利。国内轻掺硅片发展较重掺硅片较慢,公司凭借具备丰富的研发生产经验的核心团队有望成为国内轻掺 硅片优质供应商。公司核心技术团队在日本有 20 年以上的轻掺低 缺陷硅片生产经验,并且 8 英寸、12 英寸硅片的制造技术与 20 年 前差别不是很大,公司核心技术人员对其整体的成本控制、良率 提升及研发技术路线都有着丰富的经验。公司已有的大直径单晶 硅材料本身也是轻掺晶体,在轻掺晶体的生长方面已经培养了成 熟的生产团队,转向轻掺硅片生产是顺理成章的,相比从重掺转 向轻掺的公司会容易一些。最后,公司在日本设有研发中心,有 利于招募当地的高技术人才,也便于和当地高技术人才保持交流,有利于在技术路线上保证先进方向。
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4 盈利预测与投资建议
核心假设与预测结论:
- 盈利预测假设依据:
公司是半导体刻蚀用硅电极上游——大直径单晶硅材料的龙 头企业,公司2020年的收入全部来源于大直径单晶硅材料,约为 1.92亿元。依据上述情况,我们认为公司未来在该领域仍有较大的 份额提升空间,且公司将通过产品尺寸的不断增加改善产品结构,
提升收入规模和盈利能力;同时我们认为公司未来还将往单晶硅
材料的下游硅电极零部件和半导体硅片领域渗透与发展,两块新
品的市场空间大于公司的传统主业,预计未来这两块新增业务也
将给公司带来可观的增量收入和利润。 - 大直径单晶硅材料:
2020年,受益于疫情影响反弹、新能源汽车需求大幅提升、电子行业需求回暖等行业变化,半导体行业景气度明显回升,带
来了上游材料的的需求回暖,公司因此受益。待行业补库存进入
尾声,行业产能逐渐扩张缓解供需不平衡后,行业将回归正常增 长。根据上述情况,我们假设公司2021-2023年大直径单晶硅材料 的营收将实现4.46、6.08和7.34亿元,同比增长144.23%、36.50% 和20.75%。 - 硅电极零部件:
基于优秀的单晶硅材料工艺与技术基础和储备,公司开始向 下游硅电极零部件领域延伸,2020年,公司已通过部分下游客户 验证,并实现销售收入70万元。随着产能扩张和良率爬坡,我们 预计2021-2023年公司在硅电极领域将实现快速增长。根据上述情 况,我们假设公司2021-2023年硅电极零部件的营收将实现0.11、0.42和0.94亿元,同比增长1520.37%、267.50%和125.00%。 - 半导体硅片:
根据公司招股说明书,公司IPO募资后将用于8英寸和12英寸 的半导体硅片扩产。由于半导体行业存在3-5年的认证周期,我们 认为,公司有希望在2022-2023年开始形成小批量硅片供应,未来 待下游晶圆厂验证逐步通过后,有望实现较大的收入规模增长。
根据上述情况,我们假设公司2023年半导体硅片的营收将实现约 0.72亿元。 - 毛利率假设:
2018-2020年 , 公 司 实 现 综 合 毛 利 率63.77%、68.99%和 65.23%。我们认为,公司的半导体材料工艺壁垒高,技术难点多,潜在竞争对手较难在短时间内实现突破,海外产能不足,未来一
段时间内公司将有望维持较高水平。同时硅电极的产品毛利率接 近单晶硅材料,因此未来3年内对公司的综合毛利率不会造成较大 影响。待半导体硅片实现量产后,公司的综合毛利率将开始逐步 降低。我们假设2021-2023年公司实现综合毛利率65.63%、66.42%
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和63.64%。
附表 1 公司分业务增速与毛利预测(单位:百万元人民币)
分业务收入测算 | 2020 | 2021E | 2022E | 2023E |
大直径单晶硅材料 | 182.41 | 445.51 | 608.13 | 734.31 |
硅零部件及其它 | 0.70 | 11.42 | 41.97 | 94.44 |
其它业务 | ||||
8.98 | 17.73 | 19.51 | 93.46 | |
合计 | ||||
192.10 | 474.67 | 669.61 | 922.21 | |
分业务成本测算 | 2020 | 2021E | 2022E | 2023E |
大直径单晶硅材料 | 58.52 | 143.48 | 191.73 | 226.49 |
硅零部件及其它 | ||||
0.62 | 4.57 | 16.54 | 36.64 | |
其它业务 | ||||
7.66 | 15.07 | 16.58 | 72.24 | |
合计 | ||||
66.80 | 163.12 | 224.85 | 335.36 | |
分业务增速 | 2020 | 2021E | 2022E | 2023E |
大直径单晶硅材料 | -3.23% | 144.23% | 36.50% | 20.75% |
硅零部件及其它 | ||||
1520.37% | 267.50% | 125.00% | ||
9735.87% | ||||
其它业务 | 97.50% | 10.00% | 379.13% | |
合计 | ||||
0.00% | 0.00% | 0.00% | 0.00% | |
分业务毛利率 | 2020 | 2021E | 2022E | 2023E |
大直径单晶硅材料 | 67.92% | 67.79% | 68.47% | 69.16% |
硅零部件及其它 | 11.69% | 60.00% | 60.60% | 61.21% |
其它业务 | 14.65% | 15.00% | 15.00% | 22.70% |
合计 | ||||
65.23% | 65.63% | 66.42% | 63.64% |
资料来源:Wind,上海证券研究所
投资建议:
首次覆盖给予“买入”评级。我们预计公司 2021-2023 年净利 润分别为 2.20、3.08 和 4.04 亿元,对应 EPS 分别为 1.38、1.92 和2.53元。当前股价对应2021-2023年PE值分别为60.94、43.62 和 33.23 倍。我们看好公司传统单晶硅材料因大径化而持续提升份 额,基于材料端的技术优势和下游国产化快速布局硅电极带来增
量贡献,通过技术储备突破下游验证后加快硅片的国产替代,从
而在营收和利润端实现更快和更高幅度的增长。
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5 风险提示
1. 公司存在经营业绩不达预期的风险。
公司产品主要向电极制造商销售,经电极制造商机械加工制 成集成电路刻蚀用硅电极,直接应用于芯片制造刻蚀环节,随着 刻蚀工序不断消耗。半导体行业景气度通过影响存量芯片生产线 的产能利用率以及芯片生产线的新增投资水平等主要中间变量,并最终影响集成电路刻蚀用单晶硅材料市场需求,因此公司产品 销售与半导体行业景气度高度相关,此外,硅电极制造商对下游 需求的趋势判断也会影响公司的订单金额。
2. 半导体行业存在增长低于预期的风险。
半导体行业属于周期性行业,行业增速与全球经济形势高度 相关。此外,半导体行业的周期性还受技术升级、市场结构变化、应用领域升级、自身库存变化等因素的影响。近年来,半导体行 业研发周期不断缩短,新技术、新工艺的不断应用导致半导体产 品的生命周期不断缩短。公司主要产品为高纯度集成电路刻蚀用 单晶硅材料,主要销售给硅电极制造商,经机械加工为芯片制造 刻蚀环节所需的硅电极。公司产品销售直接受半导体行业景气度 的影响。若半导体行业市场需求出现周期性下滑,公司的经营业 绩存在波动风险。
3. 公司产品出口比例较高的风险。
全球范围内主要刻蚀机生产厂商和刻蚀用硅电极制造厂商主 要位于日本、韩国和美国,因此公司产品主要出口日本、韩国和 美国。如未来相关国家在贸易政策、关税等方面对我国设置壁垒 或汇率发生不利变化,且公司不能采取有效措施降低成本、提升 产品竞争力,将导致公司产品失去竞争优势,从而对公司经营业 绩产生不利影响。
4. 募投项目推进不及预期的风险。
公司募集资金投资项目包括 8 英寸半导体级硅单晶抛光片生产建 设项目和研发中心建设项目,相对于公司现有规模而言,募集资 金投资规模较大,且项目投资期较长,如果募集资金投资项目业 绩无法实现预期效益,可能对公司财务状况和经营成果造成较大 不利影响。
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公司财务报表数据预测汇总
资产负债表(单位:百万元) | 利润表(单位:百万元) | ||||||||
指标 | 2020A | 2021E | 2022E | 2023E | 指标 | 2020A | 2021E | 2022E | 2023E |
货币资金 | 533 | 555 | 848 | 1209 | 营业收入 | 192 | 475 | 670 | 922 |
应收票据及应收账款 | 27 | 65 | 92 | 126 | 营业成本 | 67 | 163 | 225 | 335 |
存货 | 50 | 121 | 150 | 201 | 营业税金及附加 | 3 | 7 | 9 | 13 |
其他流动资产 | 345 | 361 | 367 | 378 | 销售费用 | 3 | 7 | 10 | 14 |
流动资产合计 | 955 | 1102 | 1457 | 1915 | 管理费用 | 23 | 45 | 64 | 88 |
长期股权投资 | 5 | 5 | 5 | 5 | 研发费用 | 18 | 47 | 67 | 92 |
投资性房地产 | 0 | 0 | 0 | 0 | 财务费用 | -12 | -16 | -21 | -31 |
固定资产 | 298 | 264 | 231 | 197 | 资产减值损失 | 0 | 0 | 0 | 0 |
在建工程 | 45 | 45 | 45 | 45 | 投资收益 | 9 | 12 | 17 | 23 |
无形资产 | 24 | 32 | 34 | 36 | 公允价值变动损益 | 0 | 0 | 0 | 0 |
其他非流动资产 | 20 | 44 | 44 | 44 | 营业利润 | 112 | 254 | 362 | 476 |
非流动资产合计 | 393 | 392 | 359 | 328 | 营业外收支净额 | 0 | 0 | 0 | 0 |
资产总计 | 1349 | 1493 | 1816 | 2242 | 利润总额 | 112 | 254 | 362 | 476 |
短期借款 | 0 | 0 | 0 | 0 | 所得税 | 12 | 34 | 54 | 71 |
应付票据及应付账款 | 104 | 22 | 29 | 41 | 净利润 | 100 | 220 | 308 | 404 |
合同负债 | 0 | 0 | 0 | 1 | 少数股东损益 | 0 | 0 | 0 | 0 |
其他流动负债 | 12 | 17 | 25 | 35 | 归属母公司股东净利润 | 100 | 220 | 308 | 404 |
流动负债合计 | 116 | 40 | 55 | 77 | 主要指标 | ||||
长期借款 | 0 | 0 | 0 | 0 | 指标 | 2020A | 2021E | 2022E | 2023E |
应付债券 | 0 | 0 | 0 | 0 | 盈利能力指标 | ||||
其他非流动负债 | 21 | 21 | 21 | 21 | 毛利率 | 65.2% | 65.6% | 66.4% | 63.6% |
非流动负债合计 | 21 | 21 | 21 | 21 | 净利率 | 52.2% | 46.4% | 46.0% | 43.8% |
负债合计 | 137 | 61 | 76 | 98 | 净资产收益率 | 8.3% | 15.4% | 17.7% | 18.9% |
股本 | 160 | 160 | 160 | 160 | 资产回报率 | 7.4% | 14.8% | 17.0% | 18.0% |
资本公积 | 865 | 865 | 865 | 865 | 投资回报率 | 7.9% | 14.4% | 16.7% | 17.6% |
留存收益 | 187 | 408 | 716 | 1120 | 成长能力指标 | ||||
归属母公司股东权益 | 1212 | 1432 | 1740 | 2145 | 营业收入增长率 | 1.9% | 147.1 % | 41.1% | 37.7% |
少数股东权益 | 0 | 0 | 0 | 0 | EBIT 增长率 | 18.9% | 121.5 % | 43.4% | 30.3% |
股东权益合计 | 1212 | 1432 | 1740 | 2145 | 归母净利润增长率 | 30.3% | 119.9 % | 39.7% | 31.3% |
负债和股东权益合计 | 1349 | 1493 | 1816 | 2242 | 每股指标(元) | ||||
现金流量表(单位:百万元) | 每股收益 | 0.65 | 1.38 | 1.92 | 2.53 | ||||
指标 | 2020A | 2021E | 2022E | 2023E | 每股净资产 | 7.57 | 8.95 | 10.88 | 13.40 |
经营活动现金流量 | 145 | 47 | 281 | 344 | 每股经营现金流 | 0.91 | 0.29 | 1.76 | 2.15 |
净利润 | 100 | 220 | 308 | 404 | 每股股利 | ||||
折旧摊销 | 21 | 39 | 37 | 37 | 营运能力指标 | ||||
营运资金变动 | 34 | -201 | -47 | -75 | 总资产周转率 | 0.14 | 0.32 | 0.37 | 0.41 |
其他 | -11 | -12 | -17 | -23 | 应收账款周转率 | 7.20 | 7.30 | 7.30 | 7.30 |
投资活动现金流量 | -478 | -25 | 12 | 17 | 存货周转率 | 1.32 | 1.35 | 1.50 | 1.67 |
资本支出 | -154 | -13 | -5 | -6 | 偿债能力指标 | ||||
投资变动 | -325 | 0 | 0 | 0 | 资产负债率 | 10.1% | 4.1% | 4.2% | 4.4% |
其他 | 0 | -12 | 17 | 23 | 流动比率 | 8.27 | 27.83 | 26.69 | 24.96 |
筹资活动现金流量 | 746 | 0 | 0 | 0 | 速动比率 | 7.78 | 24.37 | 23.53 | 21.90 |
债权融资 | 0 | 0 | 0 | 0 | 估值指标 | ||||
股权融资 | 791 | 0 | 0 | 0 | P/E | 67.26 | 59.71 | 42.75 | 32.56 |
其他 | -45 | 0 | 0 | 0 | P/B | 5.77 | 9.19 | 7.56 | 6.14 |
现金净流量 | 409 | 21 | 293 | 361 | EV/EBITDA | 50.40 | 45.56 | 32.57 | 24.80 |
资料来源:Wind,上海证券研究所
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分析师声明
作者具有中国证券业协会授予的证券投资咨询资格或相当的专业胜任能力,以勤勉尽责的职业态度,独立、客观地 出具本报告,并保证报告采用的信息均来自合规渠道,力求清晰、准确地反映作者的研究观点,结论不受任何第三 方的授意或影响。此外,作者薪酬的任何部分不与本报告中的具体推荐意见或观点直接或间接相关。
公司业务资格说明
本公司具备证券投资咨询业务资格。
投资评级体系与评级定义
股票投资评级: | 分析师给出下列评级中的其中一项代表其根据公司基本面及(或)估值预期以报告日起 6 个月 内公司股价相对于同期市场基准指数表现的看法。 | ||
买入 | 股价表现将强于基准指数 20%以上 | ||
增持 | 股价表现将强于基准指数 5-20% | ||
中性 | 股价表现将介于基准指数±5%之间 | ||
减持 | 股价表现将弱于基准指数 5%以上 | ||
无评级 | 由于我们无法获取必要的资料,或者公司面临无法预见结果的重大不确定性事 |
件,或者其他原因,致使我们无法给出明确的投资评级
行业投资评级: | 分析师给出下列评级中的其中一项代表其根据行业历史基本面及(或)估值对所研究行业以报 告日起 12 个月内的基本面和行业指数相对于同期市场基准指数表现的看法。 | ||
增持 | 行业基本面看好,相对表现优于同期基准指数 | ||
中性 | 行业基本面稳定,相对表现与同期基准指数持平 | ||
减持 | 行业基本面看淡,相对表现弱于同期基准指数 |
相关证券市场基准指数说明:A 股市场以沪深 300 指数为基准;港股市场以恒生指数为基准;美股市场以标普 500 或纳斯达克综合指数为基准。
投资评级说明:
不同证券研究机构采用不同的评级术语及评级标准,投资者应区分不同机构在相同评级名称下的定义差异。本评级 体系采用的是相对评级体系。投资者买卖证券的决定取决于个人的实际情况。投资者应阅读整篇报告,以获取比较 完整的观点与信息,投资者不应以分析师的投资评级取代个人的分析与判断。
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