评级()光伏系列报告之硅片篇:技术进步持续推动降本增效,大尺寸产能紧俏催生新需求

发布时间: 2022年05月29日    作者: xn2oyhja    栏目:行业研报

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报告名称 :光伏系列报告之硅片篇:技术进步持续推动降本增效,大尺寸产能紧俏催生新需求
评级 :增持
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行业深度:光伏系列报告

2022年5月28日

光伏系列报告之硅片篇:技术进步持续推动降本增效,大尺寸产能紧俏催生新需求

行业评级:增持

分 析 师:曾帅
证券执业证书号:S0640522050001

研究助理:唐保威
证券执业证书号:S0640121040023
手机/微信:18017096787
邮箱:tangbw@avicsec.com

分 析 师:邹润芳
证券执业证书号:S0640521040001

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报告框架

1.1 晶硅电池占据绝大多数市场份额,硅片不可或缺
1.2 连接上游硅料和下游电池片,单晶硅片已经成为市场主流

1.硅片概况:位于光伏中上游,实现1.3.1 光伏拉晶主要为直拉法,掺杂剂控制硅棒类型
硅料向电池片转变的重要环节1.3.2 单晶炉为拉晶过程的核心生产设备,已全面国产化
1.3 拉晶、切片为单晶硅片主要生产步骤,主要设备均已国产化1.3.3 切片技术快速演进,金刚线多线切割在切片环节全面铺开

1.3.4 多线切割机为切片环节核心设备,国产厂商已经主导市场

2.1.1 度电成本快速下降带来装机量不断增加,中国进入平价上网时代
2.市场空间:光伏高景气持续,硅片2.1 受益于光伏高景气度,硅片需求有望持续增长2.1.2 全球硅片需求有望不断增长,未来9年年均市场或超3000亿
制造及设备市场规模有望不断增长2.2 制造端需求扩张叠加技术更迭,硅片设备市场规模或将不断穿2.2.1 设备市场与产能之间的关系:存量更替产能与净增产能同样重要
越周期向上增长2.2.2 2022-2030年全球硅片核心设备市场规模合计约2900亿元,年均超300亿
3.1 硅片制造环节新进入者增多,实力玩家积极进入上下游环节协3.1.1 隆基、中环合计占据硅片半壁江山,新玩家加速入局
同发展3.1.2 硅片玩家积极进入上下游环节,延伸产业链布局增强自身综合实力
3.竞争格局:行业集中度较高,头部3.2.1 长晶炉设备厂商经过几轮淘洗,龙头市场份额持续领先
企业不断延伸产业链布局
3.2 设备环节竞争格局趋于稳定,头部企业不断拓宽业务布局3.2.2 国产切片设备厂商已主导国内市场,切片设备竞争更加充分

3.2.3 硅片设备企业积极拓展业务领域,将底层技术迁移至不同的应用场景
4.1.1 N型硅:拉制N型硅需调整掺杂元素,同时对多晶硅料的纯度要求更高

4.1 新技术给拉晶环节带来新的变化

4.1.2 大尺寸硅棒:老旧单晶炉产线难以拉制12吋硅棒,大尺寸为设备带来更新需求 4.1.3 Cz→RCz→CCz:投料工艺不断进化,拉晶效率有望进一步提高
4.1.4 拉晶环节降本增效的核心因素拆分

4.发展态势:关注技术进步及商业模4.2.1 大尺寸硅片:十年光伏硅片尺寸翻倍,新型切片机迅速占领市场
式优化带来的新机会4.2.2 薄片化:对设备及工艺提出更高要求,N型硅片进一步降低厚度下限
4.2 新技术给切片环节带来新的变化4.2.3 半片前置、矩形片:本身不能令切片环节降本增效,或对产业链整体降本增效有益

4.2.4 切片环节降本增效的核心因素拆分

4.3 代工模式或将提高切片环节整体价值量

4.3.1 技术红利再分配,大尺寸+薄片化或将促使代工成为最佳商业模式 4.3.2 代工模式盈利测算

5.1 代工环节:大尺寸+薄片化有望促使代工成为最佳商业模式

5.投资建议5.2 硅片环节:需求持续增加,新兴玩家加速扩产,硅片格局或将重塑

5.3 设备环节:硅片设备穿越周期增长,竞争格局趋于稳定,技术进步带来设备换代需求

投资要点

一、投资要点

代工环节:大尺寸+薄片化有望促使代工成为最佳商业模式。切片代工不是新事物,但是由于近年来切片环节技术快速进步,代工模式的价值应该被重新评估。

我们认为以下原因促使代工越来越受到市场关注:1)硅片尺寸快速变化,设备投资风险加剧;2)电池新技术增加了超薄硅片需求,薄片化叠加大尺寸导致硅

片良率难以控制;3)大尺寸产能存在缺口。影响代工项目利润的因素主要有代工费、切片良率、留片率、硅片价格等等,其中留片率和硅片价格的影响非常关

键。我们充分考虑了这些因素,并保守估计了未来5年内的硅片价格,由此测算了10GW代工规模的盈利能力,经计算,未来5年内单GW代工利润约1500-

2000万元,推荐关注高测股份、宇晶股份

硅片环节:需求持续增加,新兴玩家加速扩产,硅片格局或将重塑。自单晶战胜多晶取得光伏主导地位以来,隆基、中环在硅片环节的地位不断强化。2019年

以来,不断有上机、高景、双良等新兴玩家入局光伏硅片,同时又有美科、京运通等企业猛烈扩产。我们测算2022-2030年全球硅片需求量合计超过5700GW,

平均每年需求约630GW。由于旧的小尺寸硅片产能需要更新换代才能生产大尺寸硅片,而新产能基本具备生产大硅片的能力,新玩家没有落后产能的退出成本,

硅片竞争格局或将迎来变化,推荐关注隆基绿能、中环股份、双良节能、上机数控、京运通

设备环节:硅片设备穿越周期增长,竞争格局趋于稳定,技术进步带来设备换代需求。硅片环节大尺寸、薄片化、投料工艺进步(RCz→CCz)、半片前置、矩

形片等新技术都对相应设备提出了更高的要求,进而有望持续推动硅片设备更新换代。我们测算2022-2030年硅片核心全球市场空间合计约2900亿元,平均每

年超300亿元。相比于硅片制造,长晶设备及切片设备的竞争格局逐渐趋于稳定,推荐关注晶盛机电、上机数控、天通股份、高测股份、宇晶股份

二、风险提升

宏观经济下行

光伏行业政策波动

国内光伏产业受到外部制裁

12硅片概况:位于光伏中上游,实现硅料向电池片转变的重要环节
市场空间:光伏高景气持续,硅片制造及设备市场规模有望不断增长
目录543竞争格局:行业集中度较高,头部企业不断延伸产业链布局
发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会
投资建议

1.硅片概况:位于光伏中上游,实现硅料向电池片转变的重要环节

1.1 晶硅电池占据绝大多数市场份额,硅片不可或缺

太阳能电池种类繁多,晶硅与薄膜电池最为成熟。自1954年美国贝尔实验室研制出效率为6%的具备实用价值的单晶硅电池以来,太阳能电池已经取得长足的发展。根据 材料不同,光伏电池可大致分为三类:第一类为晶体硅太阳能电池、第二类为薄膜太阳能电池、第三类为各种新型太阳能电池。目前第三类太阳能电池技术上尚未成熟,商用的太阳能电池主要有晶体硅电池与薄膜电池两大类。

晶硅电池占据市场多数份额,硅片是制备晶硅电池不可或缺的材料。2010-2020年全球薄膜电池市场份额基本处在下行区间,2020年全球产能接近10GW,产量约为 6.48GW,市场占有率为4%,同比下降了0.4个百分点。主要是全球薄膜电池产量并未明显提升,但晶硅组件产量却取得了较大幅度的增长。2020年全球硅片产量约 168GW,2021年超过230GW,预计未来光伏市场仍将以晶硅材料为主,硅片是制备晶硅电池不可或缺的材料。

图表:主要的商用光伏电池分类 图表:2010-2020全球薄膜电池市场份额

16.00%
光伏电池

多晶硅电池晶硅电池薄膜电池化合物半导体薄膜电池14.00%
12.00%
单晶硅电池硅基薄膜电池10.00%
8.00%
BP
E
非晶非/微
晶硅
二元化
合物
三元化四元化6.00%
4.00%
S
F
R
C
硅(α-叠层
电池
(CdTe、GaAs)合物合物2.0%
Si)(CIS)(CIGS)0.00%
(α-Si)20102011201220132014201520162017201820192020

资料来源:CPIA、现代制造技术与装备、江苏工业学院学报、中航证券研究所

1.硅片概况:位于光伏中上游,实现硅料向电池片转变的重要环节

1.2 连接上游硅料和下游电池片,单晶硅片已经成为市场主流

硅片处于光伏产业链中上游,是连接硅料和电池片的重要环节。单晶硅片制造企业利用单晶硅炉生产单晶硅棒、多晶硅片制造企业利用铸锭炉生产多晶硅锭,之后再将硅 棒或硅锭切割成单晶硅片或者多晶硅片,最终用于太阳能电池板、电池组件生产。因此,硅片制造行业是实现多晶硅原料向太阳能电池转变的必经阶段,伴随着全球太阳 能光伏产业的发展而发展。

多晶硅片占比快速减少,单晶成为市场主流。光伏硅片大体可以分为多晶硅片和单晶硅片,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核 长成晶面取向不同的晶粒,则为多晶;如果晶面取向相同,则为单晶。由于单晶电池转换效率可以比多晶电池高2-3个百分点,随着下游对单晶产品的需求增大,单晶硅 片市场占比迅速从2016年的不足20%提高到2021年的95%。预计未来单晶仍将占据市场绝大部分份额,且 N 型单晶硅片占比将持续提升。

图表:硅片在光伏产业链中的位置 图表:不同类型硅片市场占比

100%
90%
80%
70%
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0%

2016201720182019202020212022E2023E2025E2027E2030E
多晶N型单晶P型单晶铸锭单晶

资料来源:CPIA、隆基绿能、京运通、上机数控、中航证券研究所

1.硅片概况:位于光伏中上游,实现硅料向电池片转变的重要环节

1.3 拉晶、切片为单晶硅片主要生产步骤,主要设备均已国产化

1.3.1 光伏拉晶主要为直拉法,掺杂剂控制硅棒类型

拉晶工艺主要包括Fz法和Cz法,光伏领域主要使用Cz法。单晶硅根据长晶方式不同,主要有悬浮区熔法(Fz-floatzone)和直拉法(Cz-czochralski)。区熔可以生产 出高质量的高纯度单晶,但其对原料、设备和技术的要求较为苛刻,且对于多晶硅原料的尺寸要求较高,生产的晶体尺寸也较小,导致其生产成本较高。目前Fz法多应用 于对硅片要求较高的半导体领域,而光伏领域主要使用Cz法。

Cz法经过十余步骤,掺杂剂决定得到P型硅片或者N型硅片。Cz直拉式单晶硅生长主要工艺流程包括:装料→抽真空→检漏→压力化→熔料→稳定化→熔接→引晶→放肩→转肩→等径→收尾→停炉,以及两个重要辅助工艺——煅烧、副室隔离净化。装料和等径加入的掺杂剂控制着后续得到的硅片类型,三价B族受主掺杂剂和五价Р族施 主掺杂剂将分别得到Р型和N型半导体。其中等径是晶体生长的主体部分,等径段是硅单晶的有效利用部分,单晶硅片的原料即从这部分得到。

图表:拉晶重要流程示意图图表:拉晶主要步骤介绍

步骤阶段介绍
1装料在高纯度石英坩埚中按层次装入多晶硅块料、粉料、颗粒料、掺杂剂,然后放入石墨坩 埚并合炉。掺杂剂类型决定得到P型还是N型硅片
2抽空检漏 合炉后,主泵对炉体内部进行抽空,为单晶生长提供洁净的环境。抽空至一定压力后,充入高纯度氩气,然后关闭,再抽,再充,反复几次,带走炉内杂质。此后要进行检漏
3压力化检漏完成,开启氩气阀,炉内压力逐渐升至晶体生长压力范围
4化料驱动石墨加热器电源,加热至大于硅的融化温度,使多晶硅和掺杂物熔化
7引晶熔液温度稳定到引晶范围后,降下籽晶接近液面,籽晶固体接触液面后,籽晶端头熔化,由于表面张力,籽晶与硅融体的固液交接面之间的硅融体冷却形成固态的硅单晶
8缩颈籽晶接触到硅液瞬间,其温度差产生的热应力引发位错,消除位错的方法是“缩颈”。在提 拉过程中,逐渐缩小籽晶,将位错的排列挤压出去,并拉制细颈长度约晶棒直径大小
9放肩引晶至目标长度,减慢晶体提拉速度,降低温度,直径快速增大,称为“放肩”。
10转肩放肩至目标直径后,需要快速使晶体生长方向从横向转为纵向,提高拉速,晶体停止横 向生长,直径不再增加时,即完成转肩
11等径生长 为了减少全熔阶段掺杂剂的挥发损失造成较大影响,转肩至目标直径后,再启动投放掺 杂剂的装置,停滞2~3秒,然后可以提高提拉速度,并保持几乎不变的速度进行等径生长
12收尾生长结束如果直接脱离液面会在界面产生大量位错,导致尾部的晶棒不可用。在等径结 束后,要逐渐缩减晶棒直径至最小,然后脱离液面,完成单晶硅的生长过程
13停炉晶棒升入副室冷却。加热停止、坩埚升至最高位冷却。2~3小时后,拆炉取棒、清洁炉体

资料来源:控制理论与应用、太阳能电子工艺技术、知网、太阳能、中航证券研究所

1.硅片概况:位于光伏中上游,实现硅料向电池片转变的重要环节

1.3 拉晶、切片为单晶硅片主要生产步骤,主要设备均已国产化

1.3.2 单晶炉为拉晶过程的核心生产设备,已全面国产化

直拉单晶炉是拉晶环节核心设备,伴随硅片不断向大尺寸方向演化。直拉单晶炉技术的已经历多轮迭代,持续向更多装料、更大尺寸、更高效率方向进化。根据直径划分,≤1.5英寸为第一代,≤2英寸为第二代,4-6英寸为第三代,8-12英寸第四代,从第三代开始实现直拉单晶炉控制的半自动化,到第四代基本实现了智能全自动化的升级。目前顺应大尺寸化发展趋势,已经发展至主流160炉型(210mm向下兼容182mm),热场尺寸达36英寸以上,单炉投料量达2800kg以上。

国内单晶炉供应商技术已达到领先水平,单晶炉设备全面国产。我国拉晶设备的起步发展得益于早期在半导体拉晶设备领域积累,此后随着光伏行业的迅猛发展,国内光 伏单晶炉设备供应商快速成长。美国Kayex公司是全球生产全自动单晶硅生长炉的代表,技术一直处于行业前沿,是世界上首次拉出8英寸单晶硅棒的公司,2013年被连 城数控收购;晶盛机电开发出了拥有自主知识产权的 ZJS 系列全自动单晶炉,多次填补国内空白;北方华创传承五十多年电子装备及元器件的生产制造经验,在国内市 场占有重要的地位;其他厂商还有京运通、天通吉成等等,目前国内厂商的设备水平已走在全球前列,我国光伏单晶炉设备已经全面国产化。

图表:典型的拉晶生产车间 图表:单晶炉结构示意图

资料来源:CPIA、知网、双良节能、中航证券研究所

1.硅片概况:位于光伏中上游,实现硅料向电池片转变的重要环节

1.3 拉晶、切片为单晶硅片主要生产步骤,主要设备均已国产化

1.3.3 切片技术快速演进,金刚线多线切割在切片环节全面铺开

金刚线技术普及,薄片化、细线化促使出片率提高。光伏硅片切割主要采用线锯切割方式,有游离磨料和固结磨料切割两类,前者以砂浆切割为代表,通过钢线、游离液 体磨料和待切割材料三者间的相互摩擦作用进仔切割;后者用金刚线(金刚石粉固定在钢线上)对材料进行切割。后者相较前者具有切割速度快、硅片品质高、成本低、切割液环保等优点,2017年以来金刚线切割已在单晶领域完全取代了砂浆切片。得益于金刚线带来的技术进步,2017-2021年金刚线母线直径从70μm降低到45μm、单 晶硅片厚度从185μm降低到170μm、同尺寸硅片每公斤方棒出片量从60片提升到70片。

硅片制备主要经历4步,切片环节是实现硅片薄片化的关键。单晶炉拉制出硅棒后主要经过截断、开方、磨倒、切片4道主要工序形成单晶硅片,其中截断工序将硅棒切 割成所需长度;开方工序将截断后的圆柱形硅棒加工成长方体;磨倒工序将方棒进行磨面、抛光、倒角;切片工序将磨抛后硅棒切割加工为硅片,是实现硅片薄片化的关 键,也是整个硅片加工流程中最为重要的一环。

图表:砂浆切割(左图)与金刚线切割原理图表:切片重要流程示意图开方磨倒切片
截断

资料来源:CPIA、高测股份、上机数控、中航证券研究所

1.硅片概况:位于光伏中上游,实现硅料向电池片转变的重要环节

1.3 拉晶、切片为单晶硅片主要生产步骤,主要设备均已国产化

1.3.4 多线切割机为切片环节核心设备,国产厂商已经主导市场

切片环节需多种设备配套使用,切片机为核心设备。切片环节所需的设备主要有截断机、开方机、磨倒机、粘棒机、脱胶机、切片机、脱胶机、清洗机、分选仪以及其他 自动化辅助设备等,其中切片机是切片环节核心设备,该设备是一种使用高速运动的金刚石线对单晶硅棒进行切片加工的专用精密生产设备。在设备工作过程中,一根高 速往复运转的金刚石线分布成切割线网,通过由放线轮、张力轮、导轮、切割轮等组成的运动机构及自动检测控制系统对单晶硅棒料进行加工研磨,将硅棒切割为硅片。

国内设备厂商产品性能不断提高,快速占据国内市场份额。2016年以前,光伏切割设备领域占主导地位是以梅耶博格、HCT、NTC等国外厂商。而近年来,上述国外厂 商在新增设备上的市场份额逐渐减少,国产光伏切割设备凭借优异的产品性能和综合性价比,市场份额逐步提升,已占据行业主导地位。目前国内提供多线切割机厂商包 括高测股份、宇晶股份、连城数控、上机数控及晶盛机电等。

图表:典型的硅片制造流水线 图表:双辊多线切割机工作示意图

资料来源:CPIA、晶盛机电、连城数控、宇晶股份、高测股份、上机数控、中航证券研究所

12硅片概况:位于光伏中上游,实现硅料向电池片转变的重要环节
市场空间:光伏高景气持续,硅片制造及设备市场规模有望不断增长
目录543竞争格局:行业集中度较高,头部企业不断延伸产业链布局
发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会
投资建议

2.市场空间:光伏高景气持续,硅片制造及设备市场规模有望不断增长

2.1 受益于光伏高景气度,硅片需求有望持续增长

2.1.1 度电成本快速下降带来装机量不断增加,中国进入平价上网时代

全球光伏度电成本11年间下降90%,中国开启平价上网时代。2009年,光伏度电成本高达0.36美元/kwh,到了2020年,光伏度电成本已经下降到0.037美元/kwh,11 年间降低近90%。2021年6月11日,国家发改委发布《通知》指出2021年起新备案集中式光伏电站、工商业分布式光伏项目和新核准陆上风电项目,中央财政不再补贴,实行平价上网。这项政策标志着中国光伏正式进入平价时代,也意味着以光伏为代表的新能源对传统能源的替代是不可逆转的。

全球光伏新增装机量不断增长,带动硅片产量快速增加。得益于全球对清洁可再生能源发展的大力支持以及光伏度电成本的迅速下降,全球光伏新增装机量快速增长,也 带动硅片产量迅速提高。2011年全球光伏新增装机量约30GW,2021年达到170GW,十年复合增速为18.86%;2011年全球硅片产量为36GW,2021年约235GW,十 年复合增速突破20%,保持快速增长态势。

图表:全球光伏度电成本不断下降25%图表:全球光伏新增装机量快速增长160%图表:全球光伏硅片产量迅速提高120%
400180250
350 300 250 200 150 100 50
0
20%160
140
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80
60
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140%200
150
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0
100%
15%120%80%
100%
10%80%60%
60%40%
5%20%
40%
0%20%0%
0%
2009201620172018201920202008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021
全球硅片产量(GW)yoy(右轴)
度电成本(美元/MWh)降幅(CAGR,右轴)全球光伏新增装机量(GW)yoy(右轴)

资料来源:国家发改委、CPIA、天合光能、光伏行研、中航证券研究所

2.市场空间:光伏高景气持续,硅片制造及设备市场规模有望不断增长

2.1 受益于光伏高景气度,硅片需求有望持续增长

2.1.2 全球硅片需求有望不断增长,未来9年年均市场或超3000亿

光伏发电占比有望不断攀升,放开容配比或将进一步刺激硅片需求。BNEF预计2050年全球光伏发电量占比有望达到32%,而2020年这一数字仅为3.1%,我们预计到 2030年全球光伏发电占比有望达到15%。此外,在国内放开容配比之前大部分电站为1:1设计,仅少部分达到1.2:1,合理增加容配比有利于降低系统度电成本、提升整体 经济效益,2020年的《光伏发电系统效能规范》已将光伏电站容配比最高提升至1.8:1,我们预计未来光伏容配比将不断上升,进而提高组件出货量并带动硅片需求。

2022-2030年全球硅片年均需求接近600GW,年均市场或超3000亿元。我们对光伏发电量占比、光伏年利用小时数、容配比、硅片到组件损耗等数据作出关键性假设,进而测算2022-2030年全球硅片需求量合计超过5700GW,平均每年需求约630GW,2021-2030需求CAGR=21%;2022-2030年全球硅片市场规模合计超过3万亿元,平均每年市场规模接近3500亿元,2021-2030需求CAGR=14%。

图表:全球光伏新增装机量及硅片需求测算

序号年份20212022E2023E2024E2025E2026E2027E2028E2029E2030E
A全球年发电量(万亿瓦时)27536 28434 29514 30645 31828 33040 34283 35555 36856 38186
Byoy3.3%3.3%3.8%3.8%3.9%3.8%3.8%3.7%3.7%3.6%
C光伏发电量/全球发电量4.0%4.8%5.7%6.6%7.6%8.7%9.9%11.3%12.9%15.0%
D=A×C全球光伏年发电量(万亿瓦时)1101 1356 1671 2023 2419 2875 3401 4003 4747 5728
E全球光伏年利用小时数h1300 1300 1300 1300 1300 1300 1300 1300 1300 1300
F(当年)=D/E×2-F(上年)全球光伏累计装机量(GW)933 1154 1416 1695 2026 2396 2836 3323 3980 4832
G=F(当年)-F(上年)全球光伏新增装机量(GW)173 221 263 279 331 370 440 487 657 852
Hyoy32.8%27.8%19.1%6.1%18.7%11.8%18.9%10.8%34.8%29.8%
I全球组件产量/全球新增装机1.30 1.32 1.34 1.36 1.38 1.40 1.42 1.44 1.46 1.48
J=G×I全球组件产量(GW)224 291 352 379 457 518 624 702 959 1262
Kyoy37.1%29.8%20.9%7.7%20.5%13.4%20.6%12.4%36.6%31.6%
L硅片到组件损耗4.5%2.4%3.1%3.4%3.0%3.1%3.2%3.1%3.1%3.1%
M=J/(1-L)全球硅片需求量(GW)235 298 363 392 471 535 645 724 990 1302
Nyoy40.2%26.9%21.8%7.9%20.0%13.6%20.6%12.3%36.7%31.6%
O硅片均价(元/W)0.90 0.79 0.64 0.53 0.52 0.53 0.53 0.53 0.53 0.53
P=O×M全球硅片市场(亿元)2122 2362 2315 2089 2470 2812 3397 3823 5235 6903
Qyoy11.3%-2.0%-9.8%18.2%13.9%20.8%12.5%37.0%31.8%

资料来源:国家发改委、光伏們、BNEF、SPE、CPIA、中航证券研究所测算

2.市场空间:光伏高景气持续,硅片制造及设备市场规模有望不断增长

2.2 制造端需求扩张叠加技术更迭,硅片设备市场规模或将不断穿越周期向上增长

2.2.1 设备市场与产能之间的关系:存量更替产能与净增产能同样重要

设备市场具有一定周期性,投资需要对时机把握更加准确。从2010-2021年情况看,全球硅片产能基本上处在上行区间,增速只有2013年为-5%,其余年份皆稳定增长;而新增产能则更具波动性,增速从-100%到190%不等。如果简单认为硅片制造企业产能→产量→订单→业绩;设备企业新增产能→订单→业绩,显然设备企业的业绩波 动更大,但是如果对时机判断准确,业绩涨幅也比制造企业更大。同时,耐心也有望帮助设备企业穿越周期——2018-2021年硅片产能保持快速增长,而新增产能在 2019年出现-38%的增速,但是2018-2021年硅片产能增长260%,低于新增产能的增幅(440%)。

技术快速迭代的光伏行业,判断存量更替产能是预测市场的关键。众所周知,产能增加带来设备市场。一般意义的新增产能往往是行业年末产能与年初产能的差值,这是 最容易获取的数据,也是行业净增产能,但是其中并不包括存量更替产能。存量更替产能主要包含自然损耗和技术更迭引起的产能更换,存量更替+净增产能代表真实的 设备市场,在技术快速进步的光伏行业,判断存量更替产能是测算设备市场的关键。

图表:2010-2021全球硅片产能、新增产能及增速情况(GW)

450250%
400200%
350150%
300100%
25050%
2000%
150
100-50%
50-100%
0-150%
201020112012201320142015201620172018201920202021
产能新增产能产能yoy(右轴)新增产能yoy(右轴)

资料来源:CPIA、中航证券研究所

2.市场空间:光伏高景气持续,硅片制造及设备市场规模有望不断增长
2.2 制造端需求扩张叠加技术更迭,硅片设备市场规模或将不断穿越周期向上增长
2.2.2 2022-2030年全球硅片核心设备市场规模合计约2900亿元,年均超300亿
硅片设备穿越周期增长,拉晶设备占据多数份额。硅片核心设备主要有拉晶环节的晶体生长设备及切片环节的截断机、开方机、磨倒机、切片机。伴随设备效率不断提高,单GW所需设备数量或将持续减少。我们测算2022-2030年硅片核心全球市场空间合计约2900亿元,平均每年超300亿元,其中单晶炉设备占据整个市场的70%-80%。

图表:2021-2030全球拉晶切片核心设备市场空间测算

序号年份20212022E2023E2024E2025E2026E2027E2028E2029E2030E
M全球硅片需求量(GW)2352983633924715356457249901302
Nyoy40.2%26.9%21.8%7.9%20.0%13.6%20.6%12.3%36.7%31.6%
R产能利用率56.0%54.0%45.0%48.0%51.0%54.0%57.0%60.0%63.0%66.0%
S=M/R全球硅片产能(GW)4205528088179239901131120715711973
T=S(上年)-S(上年)硅片净增产能(GW)172133255101056714176364402
U=S(上年)*20%存量更替产能(GW)49707910191115110141134196
V=T+U产能需求合计(GW)222203334111196183251217498598
W晶体生长设备均价(万元,含税,下同)160155150145140135135135135135
X单GW所需台数85807570656060606060
Y=W×X单GW晶体生长设备投资额(亿元)1.41.21.11.00.90.80.80.80.80.8
Z=Y×V晶体生长设备全球市场(亿元)301.6251.3376.0112.3178.6148.1203.3175.7403.6484.8
AA单晶截断机均价(万元)170160155150150150150150150150
AB单GW所需台数2222222222
AC=AA×AB单GW截断机投资额(亿元)0.030.030.030.030.030.030.030.030.030.03
AD=AC×V截断机全球市场(亿元)7.56.510.43.35.95.57.56.514.918.0
AE单晶开方机均价(万元)160155150150150150150150150150
AF单GW所需台数6544444444
AG=AE×AF单GW开方机投资额(亿元)0.100.080.060.060.060.060.060.060.060.06
AH=AG×V开方机全球市场(亿元)21.315.720.16.611.811.015.113.029.935.9
AI单晶磨倒机均价(万元)130120110100908080808080
AJ单GW所需台数8765444444
AK=AI×AJ单GW磨倒机投资额(亿元)0.100.080.070.050.040.030.030.030.030.03
AL=AJ×V磨倒机全球市场(亿元)23.117.022.15.57.15.98.06.915.919.2
AM金刚线切片机均价(万元)160155150145140135130130130130
AN单GW所需台数1613108766666
AO=AM×AN单GW切片机投资额(亿元)0.260.200.150.120.100.080.080.080.080.08
AP=AO×V切片机全球市场(亿元)56.840.850.112.819.214.819.616.938.946.7
AQ=Y+AC+AG+AK+AO单GW拉晶切片核心设备价值(亿元)1.85 1.64 1.43 1.27 1.13 1.01 1.01 1.01 1.01 1.01
AR=AQ×V全球硅片核心设备市场空间(亿元)410331479141223185253219503604

资料来源:高测股份、连城数控、双良节能、BNEF、SPE、CPIA、中航证券研究所测算

12硅片概况:位于光伏中上游,实现硅料向电池片转变的重要环节
市场空间:光伏高景气持续,硅片制造及设备市场规模有望不断增长
目录543竞争格局:行业集中度较高,头部企业不断延伸产业链布局
发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会
投资建议

3.竞争格局:行业集中度较高,头部企业不断延伸产业链布局

3.1 硅片制造环节新进入者增多,实力玩家积极进入上下游环节协同发展

3.1.1 隆基、中环合计占据硅片半壁江山,新玩家加速入局

隆基+中环硅片产能占比超行业50%,双寡头格局依然显著。自单晶战胜多晶取得光伏主导地位以来,隆基、中环在硅片环节的地位不断强化,2018-2020年两者合计硅 片产能占比从36%增长至58%。2021年底,隆基硅片产能105GW,中环硅片产能88GW,合计占比达到53%,尽管同比略有减少,但依然占据主导地位。预计2022年 隆基硅片产能将达到150GW,中环将超过140GW,继续稳坐top2交椅。

新兴玩家加速扩产,硅片格局或将重塑。2019年以来,不断有包括上机、高景、双良等新兴玩家入局光伏硅片,同时又有美科、京运通等企业猛烈扩产。从出货量情况 来看,2021年上机、美科、高景等新兴企业均已跻身前十,而从2021年以来统计的部分硅片企业扩产规划来看,预计约330GW产能将在未来3年内将逐步投放市场。由 于旧的小尺寸硅片产能需要更新换代才能生产大尺寸硅片,而新产能基本具备生产大硅片的能力,新玩家没有落后产能的退出成本,硅片竞争格局或将迎来变化。

图表:2018-2021硅片产能CR2情况图表:2021主要硅片厂商出货量情况图表:2021年以来部分企业硅片产能规划
40070%7030%序号名称规划产能(GW)
1京运通22
35060%6025%2晶科能源7
30050%503双良节能40
20%4中环股份50
25040%405晶澳科技20
2003015%6上机数控10
30%7阿特斯10
15020%2010%8通威&晶科15
1009江苏美科35
10%105%10内蒙豪安10
50011青海高景50
00%0%12阜兴新能源20
13东鋆光伏10
2018201920202021
全球产能(GW)隆基(GW)中环(GW)CR2(右轴)14金阳新能源20
15和邦生物10
出货量(GW)占比(右轴)
合计329

资料来源:PVInfolink、全球光伏、新世纪能源、CPIA、中航证券研究所

3.竞争格局:行业集中度较高,头部企业不断延伸产业链布局

3.1 硅片制造环节新进入者增多,实力玩家积极进入上下游环节协同发展

3.1.2 硅片玩家积极进入上下游环节,延伸产业链布局增强自身综合实力

硅片企业积极布局光伏产业链其他环节。除了在硅片环节本身的积极扩产之外,多数硅片企业都积极在光伏产业链上下游不同环节进行布局。隆基本身是光伏一体化龙头,2021年底除硅片外还拥有37GW电池和60GW组件产能,同时2017年以来公司通过与通威参股合作等方式进行硅料端布局;中环在2021年底除硅片外也拥有11GW叠瓦 组件产能,2022年公司计划在内蒙古建设约12万吨高纯多晶硅等项目;而上机、京运通、双良等公司也都有意向进入硅料或组件等环节。

多环节布局有望提高风险抵抗能力,但也增加了退出成本。由于市场环境变化及竞争加剧,光伏行业公司的产业链布局呈现出一体化与专业化共存的局面,各企业根据自 身的优势,选择和调整适合自身的发展模式,寻求优势互补。不可否认,光伏全产业链的深度布局可以帮助一体化企业增强抗风险能力,并能更好协调分配产业链各环节 利润,提升整体竞争力。但是,多环节布局在需要大量资金的投入的同时,还要面对光伏技术的快速迭代,降低了快速反应的能力,可能带来产能过剩、跟不上技术迭代 的风险。

图表:近年来部分硅片企业在硅片环节以外的布局规划

企业名称时间布局方向项目简介
隆基2020硅料参股通威股份两家子公司,持有永祥新能源15%股权、持有云南通威49%的
股权,锁定10.18万吨硅料。
2021电池组件合计规划约40GW电池片产能、15GW组件产能
中环2022硅料计划在内蒙古建设约12万吨高纯多晶硅项目、半导体单晶硅材料及配套项目
等,总投资约206亿元。
双良节能2022组件计划在包头稀土高新区共建设20GW高效光伏组件项目
2021硅料共同投资建设30万吨颗粒硅的研发及生产项目
上机2022硅料拟在内蒙古包头市固阳县投资建设进行年产15万吨高纯工业硅及10万吨高
纯晶硅生产项目,预计2023年达产。
京运通2021硅料以34%比例参股四川永祥能源科技有限公司,用于开展乐山10万吨高纯晶硅
项目的项目。

资料来源:双良节能、上机数控、京运通、隆基绿能、中环股份、北极星太阳能光伏网、世纪新能源、中航证券研究所

3.竞争格局:行业集中度较高,头部企业不断延伸产业链布局

3.2 设备环节竞争格局趋于稳定,头部企业不断拓宽业务布局

3.2.1 长晶炉设备厂商经过几轮淘洗,龙头市场份额持续领先

长晶炉供应商历经光伏周期,市场淘洗后留下数家优秀公司。近年来,由于长晶环节技术快速进步,许多长晶炉厂商因未跟上行业变化导致份额缩小或退出市场,如天龙光电长晶炉销 售自2018年底几乎停滞、2020年终止推进该业务;又如精功科技多晶炉曾占据较大市场份额,但单晶时代因调整不及时导致整体份额缩小;再如京运通因自身业务调整,将重点放在硅 材料业务上而收缩了设备业务等等。历经市场淘洗,目前市场留下来几家优秀的晶体生长设备供应商,主要包括晶盛机电、连城数控、天通吉成、北方华创等,其中北方华创收入更多 来自半导体领域。此外近来也有如奥特维通过收购子公司进入单晶炉市场并取得大额订单。整体来看,目前拉晶设备供应格局已基本趋于稳定。

晶盛机电单晶炉市场份额领先,连城数控积极增加非隆基客户收入。从收入规模看,近年来晶盛机电在单晶炉领域基本保持领先的市场份额。2021年晶盛机电“晶体生长设备”实现收 入35亿元,近年来毛利率约40%;2021年连城数控“单晶炉”实现收入11亿元,近年来毛利率约38%。由于前文分析的硅片企业集中度较高的原因,设备厂商的客户集中度也较高,2016-2021晶盛机电前五大客户集中度平均为76%,连城数控为87%。连城对单一客户的依赖更大一些,2016-2021年对关联方隆基绿能销售集中度平均为72%,这使得近年来其收入增速 和隆基硅片新增产能增速相关性较高,2022年隆基硅片新增产能预计为45GW,新增产能增速为125%,或将对连城业绩产生积极影响。此外连城也在积极开拓非隆基客户,截至2022Q1,连城数控40亿元在手订单中非隆基客户占比约80%。

图表:连城与晶盛晶体生长炉业务收入情况(百万元)图表:连城、晶盛前五大客户收入占比情况图表:近年来连城对隆基收入增速与隆基新产能增速高度相关
4000100%
290%
3500
90%240%
3000
80%190%
2500
70%140%
2000
90%
1500
60%
100040%
50%
500
-10%201720202022E
02016201820192021
40%
2021-60%
20162017201820192020201620172018201920202021
晶盛机电连城数控晶盛机电连城数控连城对隆基收入占比连城营收增速隆基硅片新增产能增速连城对隆基销售增速

注:连城数控来自“单晶炉”;晶盛机电来自“晶体生长设备”(包括单晶生长炉、区熔硅单晶炉、多晶铸锭炉等)

资料来源:天龙光电、精功科技、京运通、晶盛机电、连城数控、北方华创、奥特维、隆基绿能、wind、中航证券研究所

3.竞争格局:行业集中度较高,头部企业不断延伸产业链布局

3.2 设备环节竞争格局趋于稳定,头部企业不断拓宽业务布局

3.2.2 国产切片设备厂商已主导国内市场,切片设备竞争更加充分

国外供应商垄断的时代渐行渐远,国产装备已主导市场。2016年以前国内大型多线切割机市场一直被瑞士的HCT、Meyer Burger和日本的NTC三家公司垄断,此后伴随 国内光伏产业的蓬勃发展,国产设备凭借优异的产品性能和综合性价比,迅速占据行业主导地位。由于客户本身的重叠,部分提供长晶设备的厂商也可提供切片设备,如 晶盛机电、连城数控(连城先有的切片业务)、京运通等,此外也有更加专注于切片环节的设备供应商,如高测股份、宇晶股份、上机数控等。

行业毛利率呈下滑态势,切片设备竞争充分。从收入规模看,高测股份近年来切片设备收入快速增长,2021年已经位列第一梯队(晶盛机电的“智能化加工设备”项目 包括光伏晶体加工、半导体晶片加工、外延、叠瓦组件等设备,代表切片环节设备收入可能失真),而上机数控设备收入呈下降态势,主要是其将重心放在发展硅片产品 上。从毛利率情况看,上机的设备一直位于第一梯队,到2021年高测光伏切割设备的毛利率最高,为31%。切片设备行业平均毛利率近年来整体呈现下滑趋势,这也表 明该环节竞争更加充分,2021年切片设备毛利率均值约为24%,大大低于长晶炉设备40%左右的毛利率。

图表:主要企业切片环节设备收入情况(百万元)1200
1000
图表:主要企业切片环节设备毛利率情况
50%
45%
80040%
35%
30%
600
25%
400
200
20%
15%

10%

0晶盛机电连城数控高测股份宇晶股份上机数控20172018201920202021均值
晶盛机电连城数控高测股份宇晶股份上机数控
20172018201920202021

注:连城数控来自“线切设备”;晶盛机电来自“智能化加工设备”,高测股份来自“光伏切割设备”;宇晶股份来自“多线切割机”;上机数控来自“光伏专用设备”

资料来源:CPIA、晶盛机电、连城数控、高测股份、宇晶股份、上机数控、中航证券研究所

3.竞争格局:行业集中度较高,头部企业不断延伸产业链布局

3.2 设备环节竞争格局趋于稳定,头部企业不断拓宽业务布局

3.2.3 硅片设备企业积极拓展业务领域,将底层技术迁移至不同的应用场景

晶体生长及加工技术拥有众多应用场景,光伏设备企业积极进行横向技术迁移。光伏硅片生产加工的核心能力主要包括晶体生长、晶体机加及研磨切割等,底层技术具备 很强的横向迁移能力,可以向其他高硬脆材料(如半导体、蓝宝石、磁材等)领域进行拓展,也有部分硅片设备企业,如高测股份,本身就是凭借其优秀的高硬脆材料切 割加工能力从其他行业进入光伏领域,并取得了巨大成功。近年来,众多光伏硅片设备企业加大力度向其他高硬脆材料领域开拓,如晶盛机电2022年拟定增募资14亿元 用于半导体抛光、减薄设备等项目的建设;高测股份也蓝宝石、磁材、碳化硅等切割设备领域取得重大进展。技术横向迁移有望为硅片设备厂商带来新的业绩增长点。

硅片制造厂商多为光伏一体化企业,客户重叠帮助硅片设备公司进入光伏其他环节。除了横向拓展外,在光伏产业链内纵向拓展也成为部分硅片设备厂商的选择。由于隆 基等硅片企业往往也有电池组件业务,这为硅片设备厂商进入光伏其他环节提供了便利,例如晶盛机电2019年成功研制叠瓦组件设备;连城数控2020年新增电池片设备 收入,且目前也建立了组件事业部进行串焊机、叠焊机等的开发,预计2023年具备大批量交付能力。在产业链上的纵向延伸有望在光伏周期性波动中增加硅片设备供应 商的风险抵抗能力。

图表:半导体硅片工艺流程图 图表:蓝宝石产品生产工艺流程图

资料来源:晶盛机电、连城数控、高测股份、天通股份、沪硅产业、中航证券研究所

12硅片概况:位于光伏中上游,实现硅料向电池片转变的重要环节
市场空间:光伏高景气持续,硅片制造及设备市场规模有望不断增长
目录543竞争格局:行业集中度较高,头部企业不断延伸产业链布局
发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会
投资建议

4.发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会

4.1 新技术给拉晶环节带来新的变化

4.1.1 N型硅:拉制N型硅需调整掺杂元素,同时对多晶硅料的纯度要求更高

N型电池片更加高效,拉制N型硅需不同的掺杂元素。在晶体生长过程中,若掺入微量Ⅲ族元素(如硼、镓等)可制得空穴导电的P(positive)型硅单晶;若掺入微量Ⅴ 族元素(如磷、砷等)可制得电子导电的N(negative)型硅单晶。Cz法拉制P型硅和N型硅的流程几乎相同,但由于硼在硅中更易保证均匀性,故P型硅的制备相对简 单,工艺技术也更加成熟,目前在P型硅片衬底上生产的P型电池是市场主流。然而,N型电池(如异质结、TOPCon等)具有弱光响应好、温度系数低、光致衰减小等优 点,有更大的效率提升空间,N型电池将会是电池技术发展的主要方向。

N型硅片比P型硅片需要纯度更高的多晶硅料。由于目前行业内拉制单晶硅棒均已实现一炉多根拉制,这样提高了单晶炉产能效率,但也造成拉制过程杂质会累积,因此 对原料多晶硅纯度有了更高的要求。根据国家标准,多晶硅料可分为太阳能级和电子级,具体来讲,太阳能3级、2级硅料即可满足多晶铸锭生产需求;P型单晶单根拉制 需使用太阳能1级以上硅料、多根拉制需要太阳能特级到电子3级硅料;N型单晶单根拉制需要电子3级以上硅料、多根拉制需要使用电子2级以上硅料。

图表:半导体硅的P型及N型掺杂示意图图表:太阳能级、电子级多晶硅技术指标
项目太阳能级多晶硅等级及技术指标电子级多晶硅等级及技术指标
特级1级2级3级1级2级3级
施主杂质浓度/10-9(ppba)≤0.68≤1.40≤2.61≤6.16≤0.15≤0.25≤0.30
受主杂质浓度/10-9(ppba)≤0.26≤0.54≤0.88≤2.66≤0.05≤0.08≤0.10
氧浓度/(atoms/cm³) ≤0.2×1017≤0.5×1017≤1.0×1017≤1.0×1017≤1×1016--
碳浓度/(atoms/cm³) ≤2.0×1016≤2.5×1016≤3.0×1016≤4.0×1016≤4.0×1015≤1.0×1016≤1.5×1016
少数载流子寿命/μs≥300≥200≥100≥50≥1000≥1000≥500
基体金属杂质含量 /(ng/g)≤15≤50≤100≤100≤1≤1.5≤2
表面金属杂质含量 /(ng/g)≤30≤100≤100≤100≤5.5≤10.5≤15

资料来源:双良节能、隆基绿能、亚洲硅业、知网、中航证券研究所

4.发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会

4.1 新技术给拉晶环节带来新的变化

4.1.2 大尺寸硅棒:老旧单晶炉产线难以拉制12吋硅棒,大尺寸为设备带来更新需求

受到热屏内径限制,原有单晶炉难以拉制大尺寸硅棒。拉制大硅棒可以摊薄单位成本。在158及以下尺寸的时代,主流厂家连续拉晶的单晶炉设备热屏内径一般不超过 300mm,有的仅为270mm。由于166尺寸硅片的直径为223mm,对应圆棒外径约为228mm,设备不需要重大改造;而182尺寸硅片的直径为247mm,对应圆棒外径 约252mm,这几乎是老旧产线最大可兼容的尺寸。但210硅片的直径已经达到了295mm,对应圆棒外径约300mm,因此原有的单晶炉设备已不能适应210硅棒的拉制。

大尺寸硅棒制备对设备提出更高要求,性能领先的单晶炉供应商享有更大的市场。大尺寸单晶炉本身是国家半导体行业的重大攻关项目,半导体级的12英寸单晶炉也是 近几年刚实现国产化替代。尽管太阳能级硅片要求比半导体级低,但因太阳能级硅棒有大产能的需求,又有8英寸硅棒的品质参照,因此12英寸硅棒制备也存在不小的挑 战,拉晶的直径越大,径向温差就会越大,拉晶过程也就越困难。具备前瞻性技术布局的供应商才能提供性能优越的单晶炉设备,也会在新老产能更替中享有更大的市场。

图表:准方形硅单晶及尺寸示意图 图表:老旧单晶炉已无法拉制大尺寸硅棒

符号说明:A-边长;C-弦长;D-直径;F-弧线投影

资料来源:全国半导体设备和材料标准化技术委员会、太阳能、中国可再生能源学会、隆基绿能、中航证券研究所

4.发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会

4.1 新技术给拉晶环节带来新的变化

4.1.3 Cz→RCz→CCz:投料工艺不断进化,拉晶效率有望进一步提高

RCz令坩埚得以多次利用,目前已成为业界主流技术。我们已在前文概述了Cz法的工艺流程,最早Cz法采用分批直拉(Batch-Cz),此法坩埚会因冷却破裂而无法复用,一只坩埚只能拉一根晶棒。为解决此问题,在BCz的基础上增加加料装置,拉制单根硅棒时留下部分硅熔液使坩埚保持高温,然后通过加料装置将硅料加入坩埚中进行下 一根硅棒的拉制,此法称为多次投料复拉法(Recharged-Cz)。RCz法节省了晶棒冷却时间和进排气时间,且石英坩埚可以重复利用,已成为目前业界主流的拉晶工艺。

投料工艺不断进步,CCz市场关注度持续增加。在Cz法基础上有很多改进的工艺来实现更高的拉晶效率,除RCz外,OCz(炉外加料技术)、CCz(连续投料直拉法)等 均有小范围应用。目前不管是BCz、RCz还是OCz,坩埚内硅熔液都会随着单晶硅棒的拉制而变少,液面下降造成拉制环境中热环境不稳定,易引起晶棒性质的不均一。此外RCz法的效率提升也有限制,当拉制完的硅棒在副室中冷却时,下次拉制的硅料通过加料管进入坩埚,而进行拉制前必须等待硅棒冷却完毕并移除,增加了等待时间,降低了RCz法的工业生产效率。CCz法因有望改善以上问题、进一步增加拉晶效率而受到市场广泛关注。

图表:多次投料复拉法(Recharged-Cz)示意图

图表:RCz在BCz基础上增加了加料装置

资料来源:CPIA、隆基绿能、保利协鑫、晶科能源、能源一号、包头美科、光伏变迁见证者、光伏半导体、中航证券研究所

4.发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会

4.1 新技术给拉晶环节带来新的变化

4.1.3 Cz→RCz→CCz:投料工艺不断进化,拉晶效率有望进一步提高

符合要求的颗粒硅原料较少,CCz发展暂时受到限制。CCz(Continuous-Cz)法可以一边加料一边拉制晶棒,增加了拉晶效率,但CCz法的理念由来已久,我国早在上世纪80年代就有 相关研究,之所以没有成为主流工业化生产选择,主要原因是符合条件的硅料较少——CCz法需要粒径更小、流动性更好颗粒硅作为原材料,但目前棒状硅依然占据95%以上的市场;此外颗粒硅产品纯度也存在一些问题;传统流化床法制备的颗粒硅中含有一定量的氢,在高温熔料时容易出现氢跳、溅硅等情况,无法直接用于单晶硅的生产。

CCz单晶电阻率一致性强、品质更高,N型硅有望加速CCz时代到来。在颗粒硅符合要求的情况下,CCz法能够进一步减少加料时间、坩埚成本和能耗,在坩埚寿命周期内可完成约10根 晶棒拉制,且CCz产出晶棒电阻率更加均匀、分布更窄,品质更高。由于前文所述磷在硅中更难保证均匀性,故CCz技术的特点有望解决这一难题,更适用于拉制N型单晶硅,而且CCz 法和颗粒硅搭配更易实现自动化与智能化的连续生产,有望成为下一代拉棒主流工艺。

CCz对工艺提出新的要求,有望增加相关设备及耗材投资。由于CCz法仍在持续优化阶段,各企业在具体工艺细节上可能有所不同。目前来看CCz法可能会带来以下变化:1)需要新增 专用投料装置,或直接使用特制输送管道进行加料;2)单晶炉需新增振动投料口、储料漏斗;3)单晶炉控制软件需要进行相应升级,以符合智能化连续拉晶需求;4)拉晶过程中使用 双坩埚,且对石英坩埚性能有更高的要求,寿命需达到500小时以上,这对高品质石英坩埚的国产化带来新的机会。以上变化有望带来新的单晶炉设备及热场耗材等的投资。

图表:CCz拉制工艺流程图

资料来源:CPIA、保利协鑫、光伏变迁见证者、光伏半导体、智汇光伏、天通股份、京运通、中航证券研究所

4.发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会

4.1 新技术给拉晶环节带来新的变化

4.1.4 拉晶环节降本增效的核心因素拆分

降本增效在拉晶环节的拆分。我们认为拉晶环节的降本增效有2条主要途经:1)提升对硅料的处理能力。例如原来每年能处理10万吨硅料、产出5万吨硅棒,现在每年能处理20万吨硅 料、产出10万吨硅棒,产能得到提高。但这种方法并不能降本,因为单位硅成本没有变化,实际上处理能力提高引起硅料需求增多,硅料价格反而会上涨;2)提升硅料到硅棒的转化率。

例如原来每年能处理10万吨硅料、产出5万吨硅棒,现在每年处理10万吨硅料、产出8万吨硅棒,产能也得到了提高,并且减少了硅成本。此外,若下游提升转化率,例如每公斤出片量 提高,那么转换单位后(吨→GW)拉晶环节会自动“提升产能”,这也是造成近年单GW所需单晶炉数量快速减少的原因之一,我们留到切片环节讨论,本环节以重量为产能计算基准。

不同技术对拉晶环节降本增效的影响。对于1)提升对硅料的处理能力,可以进一步拆分为减少单次工艺时间和增加单次工艺产出两种路径。在其他条件不变时,大尺寸硅棒相当于增加 了单次产出,而投料工艺改进(如Cz→RCz→CCz)则相当于减少单次工艺时间(减少了复投时间)。下表M6-G12列测算了不同尺寸硅片对圆棒单产的影响,G120-G124列测算了不同 耗时对圆棒单产的影响。此外影响圆棒单产的核心因素还有长晶速率、单棒长度、坩埚寿命等等,但不论影响因素有多复杂,只要符合我们的路径拆分,就能帮助拉晶环节降本增效。

图表:单晶炉拉晶投入产出模型

项目单位M6M10G12G120G121G122G123G124
边长mm166182210210210210210210
直径mm223247295295295295295295
圆棒面积cm²390.6 479.2 683.5 683.5 683.5 683.5 683.5 683.5
硅密度g/cm³2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3
长晶速率mm/min1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3
单棒均长mm3900 3900 3900 3900 3900 3900 3900 3900
单棒等径耗时hr50 50 50 50 50 50 50 50
单棒复投及其他耗时hr31 31 31 30 28 26 24 22
单棒总耗时hr81 81 81 80 78 76 74 72
石英坩埚寿命hr350 350 350 350 350 350 350 350
单炉棒数4.3 4.3 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.9
停炉重启耗时hr16 16 16 16 16 16 16 16
单炉总耗时hr366 366 366 366 366 366 366 366
单炉总长度mm16906 16906 16906 17063 17500 17961 18446 18958
单炉产出kg1539 1887 2692 2717 2787 2860 2938 3019
设备稼动率98%98%98%98%98%98%98%98%
圆棒单产kg/h4.1 5.1 7.2 7.3 7.5 7.7 7.9 8.1

资料来源:CPIA、中航证券研究所测算

4.发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会

4.2 新技术给切片环节带来新的变化

4.2.1 大尺寸硅片:十年光伏硅片尺寸翻倍,新型切片机迅速占领市场

有效摊薄单位成本,近年来硅片尺寸快速增大。硅片尺寸经历了三次主要的变革:第一阶段1981年-2012年,硅片尺寸以100mm、125mm为主;第二阶段2012年-2018年,以M0-M2硅片为主;第三阶段自2018年以来,陆续出现了G1、M6、G12、M10等更大尺寸硅片。当硅片尺寸在一定范围内增大时,制造企业在不换设备的前提下只需改变夹具就可以增加 产出率,这是近年来硅片尺寸迅速变大的重要原因,但其在增加电池生产线的产能、减少产线单位设备投资的同时,却无法增加电池效率,因此增大硅片尺寸是一种降本技术,而不是 增效技术。

旧产线切割设备难以处理大尺寸硅棒,新型切片机迅速占领市场。硅片多线切割机能够处理的硅棒横截面尺寸主要受到罗拉轴距、罗拉直径限制。使用两辊切割机切割大尺寸硅片时,由于硅棒边距过大导致罗拉间距难以放进硅棒;如果更换小直径罗拉,则由罗拉撑起的金刚线上下距离缩短,导致硅片切割时可能接触到下侧金刚线,此时可以增加辅助辊撑开金刚线 上下间距,但老旧机型可能不具备升级三辊的空间,且辅助辊由金刚线带动增加了断线风险,降低了切割效率。目前行业内有几种解决方式,例如以高测股份为代表的可调轴距切割方 案,同时也可以增加辅助辊,兼容多种尺寸的硅片;此外也有辅助辊配独立电机方案,此时辅助辊由从动变为主动,三辊同步降低了断线风险,提高了切片良率。 目前来看GC700X设 备自2020年下半年推出以来迅速占据了光伏行业切片机市场。

图表:光伏硅片主流尺寸变化历史图表:三辊切割示意图图表:高测股份GC700X可通过偏心安装实现轴距调整
流行时期长晶平台尺寸硅片边长硅片直径硅片型号主导者
2012年以前6英寸100mm、125mm100-150mm--
2012-
2018年
8-9英寸156mm200mmM0隆基、中环
156.75mm205mmM1
156.75mm210mmM2
2018-2021年158.75mm223mmG1晶科
2019-2021年166mm223mmM6隆基、赛维
2021年至今10英寸182mm247mmM10隆基、晶科、晶澳 阿特斯等
2021年至今12英寸210mm295mmG12中环、保利、天合 东方日升、上机等

资料来源:上机数控、太阳能、全球光伏、阳光能源、高测股份、宇晶股份、赛伍技术、中航证券研究所

4.发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会

4.2 新技术给切片环节带来新的变化

4.2.2 薄片化:对设备及工艺提出更高要求,N型硅片进一步降低厚度下限

有效降低硅成本、提高单位产能,硅料价格高企加速薄片化进程。硅片薄片化不仅有效减少硅材料消耗,而且薄片化能够使硅片更柔韧,也给电池、组件端带来了更多的可能性。近年 来硅片平均厚度不断减少,目前市场上主流的166、182及210单晶硅片厚度均为160μm,相比2016年减薄了16%。尤其是2021年以来,受到硅料价格快速上涨的影响,硅片厚度有加 速减薄的趋势,目前中环外售的P型硅片最薄为150μm,N型硅片最薄已经达到130μm。预计未来硅片厚度仍将进一步降低。

细线化助力硅片减薄,N型硅片进一步扩大薄片需求。金刚线线径越细,锯缝越小,切割时因锯缝造成的硅料损失就越少,同样一根硅棒可切割加工出的硅片数量也越多。金刚线母线 直径已由2016年的80μm降至 2021年的43μm左右,相应降低了切割料损。目前40线、38线快速进入市场,未来金刚线线径仍有细化空间。此外薄片化进程也随后道工序的需求变化,如P型PERC电池厚度减薄会影响对光的吸收,而N型异质结的对称结构、低温或无应力制程完全可以适应更薄的硅片。预计随着N型电池渗透率提高,N型硅片的厚度也将进一步下降。

薄片化可能影响切片良率,对设备及工艺提出更高的要求。虽然薄片化有利于降低硅耗和电池成本,但也会降低电池的机械强度,尤其大尺寸下的薄片碎片率可能进一步增加,影响生 产良率。因此,切片环节需要更高的切割稳定性;切削液需要有更好导入,起到冷却、润滑、排屑作用;金刚线需要有更好的颗粒均匀性以及更好的切削能力。在工艺端,超薄片更易 表现出弯曲、进刀收刀的边缘翘曲,需要与设备、金刚线有更好的配合。

图表:近年来硅片厚度及金刚线径变化(μm)

200

160

120

80

40

0

图表:大硅片厚度或将朝150μm以下发展

2016201720182019202020212022E2023E2024E2025E
硅片厚度金刚线直径

资料来源:全球光伏、阳光能源、高测股份、中环股份、CPIA、中航证券研究所

4.发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会

4.2 新技术给切片环节带来新的变化

4.2.3 半片前置、矩形片:本身不能令切片环节降本增效,或对产业链整体降本增效有益

半片组件已成为市场主流选择,但激光划片造成电池片损伤。由于功率损耗=电流²×电阻,半片电池片中,通过每根主栅的电流降低为原来的1/2,因此半片组件内部功率耗损降低为整 片组件的1/4,所以半片组件的功率封装损失更小,近年来迅速占领市场,且预计未来其市场份额会持续增大。目前半片技术常规做法是先采用激光切割法沿着垂直于电池主栅线的方向 对成品电池片(全片)进行划片和裂片,将全片切割成两个分片,再对各个分片进行串/并联后封装成半片组件。然而激光划片过程中,不可避免地对电池片产生热冲击损伤,划片后的 裂片过程也会额外产生机械损伤,此外分片的切割面没有表面钝化,导致分片边缘复合严重,最终造成转换效率下降。

矩形片从另一种角度避免了尺寸之争,为老旧产线提供了第三选择。在210和182的尺寸之争中,天合光能在2022年4月初发布了G12R(210×182)规格的矩形硅片,一方面G12R的组件 板型与182组件非常相近,另一方面210向下兼容了,182也可以向上兼容。此外G12R直径约278mm,对应圆棒直径约283mm,这也令部分热屏内径为300mm的老旧单晶炉产能有望生产 G12R硅棒。G12R的出现为还没有准备好的二三线设备、硅片、电池公司提供了第三选择。

半片前置及矩形片可能造成切片环节效率减少,或对产业链整体有益。由于激光划片会对电池片造成损伤、影响最终转换效率,将半片工序提前到切片环节已经在行业内得到小范围应 用。但是很显然,半片将增加切片刀数,可能增加硅耗、降低单产;而由于对角线相同的长方形面积必定比正方形小,矩形硅片也可能会造成边料的浪费。所以这两种技术路线更多是 由下游主导,下游对半片、矩形片需求增多时切片厂商才有动力跟进。

图表:2016-2030不同全片、半片及叠瓦组件占比情况 图表:210半片及G12R矩形片加工示意图

100%
90%
80%
70%

60%

50%
40%
30%
20%
10%
0%

2016201720182019202020212022E 2023E 2025E 2027E 2030E
全片半片叠瓦

资料来源:CPIA、全球光伏、晶科能源、高测股份、天合光能、中航证券研究所

4.发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会

4.2 新技术给切片环节带来新的变化

4.2.4 切片环节降本增效的核心因素拆分

降本增效在切片环节的拆分。我们认为切片环节的降本增效有2条主要途经:1)提升对硅棒的处理能力。例如原来每年能处理10万米硅棒、产出5亿片硅片,现在每年能处理20万米硅 棒、产出10亿片硅片,产能得到提高。但这种方法并不能降本,因为单位硅成本没有变化,实际上处理能力提高引起硅棒需求增多,硅棒价格反而会上涨;2)提升硅棒到硅片的转化率。

例如原来每年能处理10万米硅棒、产出5亿片硅片,现在每年处理10万米硅棒、产出8亿片硅片,产能也得到了提高,并且减少了硅成本。此外,若下游提升转化率,例如电池片效率提 高,那么同样面积的硅片转换单位后(片→W)切片环节会自动“提升产能”,但这个效果并不明显,不如面积增加对单片效率的提升大,本环节假设电池片效率一致。

不同技术对拉晶环节降本增效的影响。对于1)提升对硅棒的处理能力,可以进一步拆分为减少单次工艺时间和增加单次工艺产出两种路径。在其他条件不变时,大尺寸硅片相当于增加 了单次w数产出,而薄片化本质是提高了转化率从而增加了单刀片数产出。下表M6-G12列测算了不同尺寸硅片对单位长度出片(W)的影响,G120-G124列测算了不同厚度对单位长度 出片(W)的影响。当然实际生产中当硅片面积、厚度变化时金刚线线径、切片良率也会产生变化,其他因素还有线速度、单刀用时等等,但不论影响因素有多复杂,只要符合我们的 路径拆分,就能帮助切片环节降本增效。

图表:单晶炉拉晶投入产出模型

项目单位M6M10G12G120G121G122G123G124
边长mm166182210210210210210210
直径mm223247295295295295295295
硅密度g/cm³2.32.32.32.32.32.32.32.3
硅片面积cm²274.1330.1441.0441.0441.0441.0441.0441.0
硅片厚度μm165165165190170150130110
母线直径μm4343434343434343
砂径μm1515151515151515
槽距μm223223223248228208188168
A+率95%95%95%95%95%95%95%95%
方棒公斤A+出片数p/kg66.7 55.4 41.5 37.3 40.6 44.5 49.2 55.0
单位长度A+出片数p/mm4.3 4.3 4.3 3.8 4.2 4.6 5.1 5.7
电池片效率23%23%23%23%23%23%23%23%
单片W数W/片6.3 7.6 10.1 10.1 10.1 10.1 10.1 10.1
单位长度A+功率W/mm26.9 32.3 43.2 38.9 42.3 46.3 51.2 57.4

资料来源:CPIA、中航证券研究所测算

4.发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会

4.3 代工模式或将提高切片环节整体价值量

4.3.1 技术红利再分配,大尺寸+薄片化或将促使代工成为最佳商业模式

切片价值量不高,硅片企业往往将重心放在拉晶环节。与拉晶相比,切片在硅片环节价值量不高。拉晶设备占硅片环节核心设备投资的70%;拉晶工艺要求也更高,对工人培训周期更 长;且硅棒成品的氧含量、碳含量、电阻率、少子寿命等指标会对下游电池片组件效率产生关键影响,相对而言切片只需要配合将硅棒进行切割;拉晶环节非硅成本占比约30%,而切 片环节非硅成本占比10-15%,可以说拉晶完成了硅片环节的主要工作。也因此切片环节被认为是不赚钱的,这是硅片企业愿意选择代工模式的原因之一。

大尺寸+薄片化进程加速,代工模式有望重塑切片价值量。切片代工并不是最近才被发明创造,但是由于近年来切片环节技术快速进步,代工模式的价值应该被重新评估。我们认为以下 原因促使代工越来越受到市场关注:1)硅片在朝大尺寸化快速前进,新投资的切片设备可能因无法生产大硅片而迅速落伍;2)薄片化叠加大尺寸导致硅片良率难以控制,需要企业对 切片设备、切割耗材和工艺有深刻的理解;3)大尺寸硅片供不应求,我们测算22年市场对182以上硅片需求或将超过220GW,而21年年底182及210产能合计约180GW,产能不足以 覆盖需求在硅片环节是不常见的,大尺寸产能紧俏导致许多拉晶产能来不及配备切片产能,转而选择和有切片能力的代工厂家合作。我们认为大尺寸硅片供不应求的现象仍将持续,同 时,当这一阶段拉晶+切片代工的表现优于拉晶切片一体厂商时,代工模式有可能成为市场未来的主流选择。

图表:硅片拉晶环节成本占比情况图表:硅片切片环节成本占比情况图表:2022-2026年市场对大尺寸硅片需求或将快速增长

400

硅成本非硅成本16%6%1%硅成本3%4%350
300
非硅成本2%
250
5%3%3%
200
150
2%
100
50
0
2022E2023E2024E2025E2026E
182需求(GW)210需求(GW)166及以下需求(GW)
硅成本人工热场辅材折旧及其他能源电力硅成本人工金刚线辅材折旧及其他能源电力

资料来源:CPIA、双良节能、宇晶股份、高测股份、阳光工匠、中航证券研究所

4.发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会

4.3 代工模式或将提高切片环节整体价值量

4.3.2 代工模式盈利测算

技术红利再分配,代工厂家凭借领先市场的切割能力实现与客户共赢。代工客户来自两方面:1、下游电池片厂锁定硅料交给拉晶、切片代工厂商加工,得到硅片原料;2、拉晶厂将硅 棒交给代工厂,得到硅片产品。如果代工模式想要长久存在,就要保证客户得到的硅片不少于付出相同成本下从市场购买或自行加工得到的数量,而保证这一点就要求代工方具备领先 于市场的切割能力,能够在保证良率的情况下切出比市场平均更多的硅片,多出来的硅片一部分交给客户,一部分自留出售,这样就和客户分享了自身拥有的技术红利,实现合作共赢。

充分考虑硅片价格未来变化,代工单GW利润有望达到1500万元。影响代工项目利润的因素主要有代工费、切片良率、留片率、硅片价格等等,其中留片率和硅片价格的影响非常关键。我们充分考虑了这些因素,并保守估计了未来5年内的硅片价格,由此测算了10GW代工规模的盈利能力,经计算,未来5年内单GW代工利润约1500-2000万元。

图表:10GW代工项目5年期盈利情况测算(亿元)

类别项目2023年2024年2025年2026年2027年
收入合计8.5 8.0 8.1 8.2 8.3
其中:代工费收入4.4 4.4 4.4 4.4 4.4
收入端留片出售收入4.1 3.6 3.7 3.8 3.9
其中:A片留片收入1.2 1.1 1.1 1.1 1.2
B片留片收入2.9 2.5 2.5 2.6 2.7
成本合计5.9 5.9 6.0 6.1 6.2
其中:人工成本2.1 2.2 2.3 2.4 2.6
成本端原辅材料1.5 1.4 1.4 1.4 1.3
制造费用2.3 2.3 2.3 2.3 2.3
税金及附加0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
费用合计0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
其中:销售费用0.0 0.0 0.0 0.0 0.0
费用端管理费用0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
研发费用0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
财务费用0.0 0.0 0.0 0.0 0.0
营业利润2.3 1.7 1.7 1.7 1.7
所得税0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
净利润1.9 1.4 1.5 1.5 1.5

资料来源:CPIA、中航证券研究所测算

12硅片概况:位于光伏中上游,实现硅料向电池片转变的重要环节
市场空间:光伏高景气持续,硅片制造及设备市场规模有望不断增长
目录543竞争格局:行业集中度较高,头部企业不断延伸产业链布局
发展态势:关注技术进步及商业模式优化带来的新机会
投资建议

5.投资建议

5.1 代工环节:大尺寸+薄片化有望促使代工成为最佳商业模式

高测股份(688556.SH):公司凭借对切割设备+切割耗材+切割工艺的深刻理解,快速切入代工市场并已和通威、美科、京运通、阳光能源、润阳光伏等光伏企业建立代工合作关系。

目前公司代工产能建成+规划合计47GW。

宇晶股份(002943.SZ):多线切割机+金刚石线+热场系统全面布局,有望在切片领域充分发挥技术优势和配套协同优势。目前公司和双良节能合作,拟在盐城设立子公司建立25GW

代工产能,公司持股70%。

5.2 硅片环节:需求持续增加,新兴玩家加速扩产,硅片格局或将重塑

隆基绿能(601012.SH):全球最大的单晶硅生产制造商。2021年归母净利润91亿元,同比+6.24%,毛利率20.19%、净利率11.21%;2022Q1归母净利润27亿元,同比+6.46%。

中环股份(002129.SZ):专注单晶硅的研发和生产,210硅片引领者。2021年归母净利润40亿元,同比+270%,毛利率21.69%、净利率10.79%;2022Q1归母净利润13亿元,同比+142%。

双良节能(600481.SH):节能节水及硅料设备龙头,成功切入硅片赛道。在光伏领域,子公司双良新能源开展多晶硅还原炉业务已有十余年,过去5年多晶硅还原炉国内市场占有率排名第一。长年扎

根光伏上游使公司对光伏周期具备深刻认知,选择在最合适的时间点(大尺寸产能紧缺)切入硅片环节,产能迅速落地,预计公司2022年底将实现22GW+产能,总规划40GW产能。目前公司已签订近92

亿片的硅片订单和超3万吨的单晶方棒/方锭订单,业绩保障充足。2021年归母净利润3.1亿元,同比+126%,毛利率27.84%、净利率8.87%;2022Q1归母净利润1.21亿元,同比+341%。

上机数控(603185.SH):“高端装备+核心材料”有望协同共振。2021年归母净利润17亿元,同比+222%,毛利率19.75%、净利率15.68%;2022Q1归母净利润6.6亿元,同比+108%。

京运通(601908.SH):乌海+乐山规划超50GW,产能有望加速落地。2021年归母净利润8.3亿元,同比+88.17%,毛利率34.44%、净利率15.91%;2022Q1归母净利润0.09亿元,同比-95.89%。

5.3 设备环节:硅片设备穿越周期增长,竞争格局趋于稳定,技术进步带来设备换代需求

晶盛机电(300316.SZ):单晶炉龙头,多层次布局半导体、蓝宝石等领域。2021年归母净利润17亿元,同比+99%,毛利率39.73%、净利率28.99%;2022Q1归母净利润4.42亿元,同比+57.13%。

连城数控(835368.BJ):专注光伏半导体领域,积极拓展非关联方客户。2021年归母净利润3.46亿元,同比-8.89%,毛利率31.81%、净利率16.22%;2022Q1归母净利润0.91亿元,同比+18.60%。

天通股份(600330.SH):子公司天通吉成与协鑫合作CCZ设备已取得阶段性成果。2021年归母净利润4.15亿元,同比+8.87%,毛利率25.95%、净利率10.31%;2022Q1归母净利润1.1亿元,同比+4.7%。

高测股份(688556.SH):可变轴距切片机占据绝对市场,代工打开新增长点。2021年归母净利润1.73亿元,同比+193%,毛利率33.75%、净利率11.02%;2022Q1归母净利润0.97亿元,同比+173%。

宇晶股份(002943.SZ):光伏切割专机已逐步得到市场认可,2021年以来取得超500台订单,代工打开新增长点。2021年归母净利润-0.07亿元,同比-13.23%,毛利率26.31%、净利率-1.59%;2022Q1归

母净利润0.18亿元,同比+827%。

资料来源:wind、各公司公告、中航证券研究所

我们设定的上市公司投资评级如下:
买入
持有
卖出
:未来六个月的投资收益相对沪深300指数涨幅10%以上。:未来六个月的投资收益相对沪深300指数涨幅-10%-10%之间:未来六个月的投资收益相对沪深300指数跌幅10%以上。

我们设定的行业投资评级如下:

增持
中性
减持
:未来六个月行业增长水平高于同期沪深300指数。:未来六个月行业增长水平与同期沪深300指数相若。:未来六个月行业增长水平低于同期沪深300指数。
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